[G] 熱電材料

[236] 真性半導体SiのSeebeck係数の温度依存性は線形化Boltzmann輸送理論でどこまで再現できるか

*本間 智之¹、水谷 宇一郎²、佐藤 洋一³、宮崎 秀俊⁴ (1. 長岡技科大、2. 名古屋産業科学研、3. 愛知教育大、4. 名古屋工大)

キーワード：熱電能、第一原理計算、Si、Boltzmann Transport Theory、化学ポテンシャル

Fulkersonらの真性半導体Siの実験結果に対して、第一原理計算を用いてSiの分散関係を求め、熱平衡条件化で化学ポテンシャルを決定し、線形化したBoltzmann輸送理論を用いて熱電能の温度依存性を再現する。