[G] Analysis/Characterization/Evaluation

[3] Formation of α-Pt₂Si at the Pt/SiO_x interface induced by electron irradiation

*Kazuhisa SATO¹, Hirotaro MORI¹ (1. Research Center for UHVEM, Osaka Univ.)

Keywords:電子照射、電子励起、界面反応、化学結合、原子移動

電子励起を利用したPt/a-SiO_x界面でのα-Pt₂Si形成に及ぼす界面ならびに電子照射温度の影響について検討した。界面領域が多い試料ほどシリサイド形成反応が速いこと、90Kでも反応が進行することが明らかとなった。