[G] 原子力材料

[51] 電子線/中性子照射タングステン中の照射欠陥形成に対する添加元素効果

*外山 健¹、井上 耕治¹、永井 康介¹、木野村 淳²、鈴土 知明³、大矢 恭久⁴、波多野 雄治⁵ (1. 東北大、2. 京都大、3. JAEA、4. 静岡大、5. 富山大)

キーワード：電子線照射、中性子照射、タングステン、陽電子消滅

電子線照射または中性子照射されたタングステン中の照射欠陥形成に対する添加元素効果を陽電子消滅測定で調べた。