[G] ナノ磁性・スピントロニクス、磁気機能材料

[273] 小角散乱法を用いたナノグラニュラー膜の構造とトンネル伝導の関係

*青木 英恵¹、本田 祥基²、大沼 正人²、小林 伸聖³、大沼 繁弘^1,3、増本 博¹ (1. 東北大、2. 北大、3. 電磁研)

キーワード：ナノグラニュラー膜、小角散乱法、トンネル伝導、トンネル磁気抵抗効果、ナノ粒子

トンネル磁気抵抗(TMR)および磁気誘電効果を示すナノグラニュラー膜について、透過電子顕微鏡および小角散乱法を用いて微細構造を統計的に明らかにし、TMRと粒子間距離の関係性を明らかにすることを目的とした。