10:00 AM - 11:30 AM
[P6] Preparation of Ge Thin Films by Ag-Induced Crystallization and Electrical Properties
Keywords:半導体、薄膜、電子デバイス
Agを用いたMIC法で、低温でのGe薄膜の結晶化を試み、結晶化させたGe薄膜をチャネル層としたトランジスタ特性を調べた。結晶粒が密になっているGe50nm/Ag30nmが各試料の中で最も大きな電界効果移動度が得られた。
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