[P] P3~P7

[P6] Ag触媒を用いたMIC法による多結晶Ge薄膜の作製と電気特性

*鷲雄 藍子¹、弓野 健太郎^1,2 (1. 芝浦工業大大学院、2. 芝浦工業大グリーンエレクトロニクス国際研究センター)

キーワード：半導体、薄膜、電子デバイス

Agを用いたMIC法で、低温でのGe薄膜の結晶化を試み、結晶化させたGe薄膜をチャネル層としたトランジスタ特性を調べた。結晶粒が密になっているGe50nm/Ag30nmが各試料の中で最も大きな電界効果移動度が得られた。