[P] P153~P177

[P172] スパッタリング法により作製したSc_xGa_1-xN過飽和固溶体のXANES解析

*池本 勇¹、平田 研二²、瀬戸山 寛之³、大曲 新矢²、Angaraini Sri　Ayu²、秋山 守人²、山田 浩志^1,2、上原 雅人^1,2 (1. 九大総理工（院生）、2. 産総研、3. 九州シンクロトロン光研究センター)

キーワード：誘電体、XANES、第一原理計算

配位構造と圧電性能には関係があると考えられている。本研究では、ScやGa周辺の対称性の変化を解明するために、ScGaN薄膜に形成する可能性のある3つの結晶構造モデルの計算スペクトルと実験結果を比較し、考察した。