日本金属学会2023年秋期(第173回)講演大会

講演情報

一般講演

9.電気・磁気 関連材料 » 電気・電子・光関連材料

[G] 半導体・テラヘルツ光

2023年9月20日(水) 10:00 〜 11:55 L会場 (工学部総合教育研究棟3階33講義室)

座長:田邉匡生(芝浦工業大学)・阿部世嗣(電磁研)、馬場 将亮(長岡技術科学大学)

10:00 〜 10:15

[299] スパッタリング法によるSi添加γ-Fe2O3薄膜の耐酸化性

*阿部 世嗣1 (1. 電磁研)

キーワード:薄膜、鉄酸化物、耐酸化性、Si、無機材料

Si添加γ-Fe2O3薄膜の耐酸化性について検討を行った。その結果、Siを2.8at.%添加したFe3O4はγ-Fe2O3に相転移し、256日間の大気中熱処理において比較的良好な耐酸化性を発現する.

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