[S6] S6.New Materials Science on Nanoscale Structures and Functions of Crystal Defect Cores, IV(1)

[S6.2] DFT calculations of dislocation core structures in GaP

*Sena HOSHINO¹, Yu OGURA², Tatsuya YOKOI², Katsuyuki MATSUNAGA^2,3 (1. 名大工(院生)、2. 名大工、3. JFCC)

Keywords:化合物半導体、DFT計算、転位、再構成

GaPにおける転位コアの量子構造を解析した．計算の結果，転位がキャリアをトラップすることで転位コア中の同種間結合が解消されることが分かった．こうしたコア構造の変化は転位運動を促進させうると考えられる．