[S6] S6.New Materials Science on Nanoscale Structures and Functions of Crystal Defect Cores, IV(1)

[S6.7] The effect of light irradiation on the (0001) plane of wurtzite semiconductor crystals

*Hiroto Oguri¹, Yan Li², Eita Tochigi³, Ryosuke Kinoshita¹, Yu Ogura⁴, Katsuyuki Matsunaga⁴, Atsutomo Nakamura² (1. Department of Mechanical Science and Bioengineering, Osaka University, 2. Department of Mechanical Science and Bioengineering, Osaka University, 3. Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4. Department of Materials Physics, Nagoya University)

Keywords:光インデンテーション、ZnO、GaN、錐面すべり、光塑性効果

(0001)面方位を有するZnOおよびGaNの単結晶基板に対して光環境制御下でナノインデンテーション試験を実施した．ウルツ鉱型構造の錐面すべりが活動すること，さらに光環境が錐面すべりを抑制することを見出した．