[G] 固相プロセス 固相・溶接プロセス(2)

[129] 半導体パッケージ構造におけるSiダイ / アンダーフィル界面の高温疲労き裂進展試験

*品田 拓海¹、苅谷 義治²、山口 博³、榎本 利章³、𠮷田 拓弥³ (1. 芝浦工大（院生）、2. 芝浦工大、3. ナミックス株式会社)

キーワード：Fatigue crack propagation、Interfacial crack、Semiconductor Package、Underfill resin、Four-point bending

高温で4点曲げ疲労試験を実施する方法を開発し，Siダイ / UF界面の疲労き裂進展速度におよぼす温度影響を検討した．