[G] 固相プロセス 固相・溶接プロセス(2)

[135] 仮想き裂モデルによる半導体再配線層用層間絶縁膜 / Cu界面の破壊力学的剥離強度評価の検討

*河邊 巧直¹、苅谷 義治²、原口 誠³、安藤 光香³、伊東 宏和³ (1. 芝浦工大（院生）、2. 芝浦工大、3. JSR株式会社)

キーワード：Critical energy release rate、Delamination、Stress singularity、Shear test、Finite element method

シア試験を用い，この試験結果に対して仮想き裂を導入した有限要素法モデルを用いて破壊力学的な解析を行い，擬似的に剥離靭性値を算出する方法を考案し，その妥当性について検討した．