[G] Melting and solidification process/High temperature process

[86] Thermal Conductivity Measurement of Si-Ge Melts Using Electromagnetic Levitation Technique under Static Magnetic Field

*Yuri ARAI¹, Hiroyuki Fukuyama¹, Makoto Ohtsuka¹, Masayoshi Adachi¹ (1. 東北大学多元研)

Keywords:Si-Ge融体、静磁場印加電磁浮遊法、熱伝導率

Si-Geは次世代電力電子デバイスの基板材料として期待されている。Si-Ge結晶育成の数値シミュレーションには溶融合金の熱物性値が必要である。本研究では静磁場印加電磁浮遊法を用いSi-Ge融体の熱伝導率を測定した。