[S9] S9.Materials Science and high temperature processing of widegap materials V

[S9.6] First-principles analysis of the stability of solute-additive bonds in the solvent of SiC solution growth

*Shota Seki¹, Takahiro Kawamura², Shunta Harada³, Miho Tagawa³, Toru Ujihara³ (1. Grad. School of Nagoya Univ., 2. Grad. School of Mie Univ., 3. IMaSS Nagoya Univ.)

Keywords:炭化ケイ素(SiC)、結晶成長、不純物効果、第一原理計算

SiC溶液法における溶媒への元素添加によるステップ構造変化のメカニズム解明のため、第一原理計算により溶質と添加元素間の溶媒中での結合安定性を評価した。