[S9] S9.Materials Science and high temperature processing of widegap materials V

[S9.8] Step-bunching behavior on 4H-SiC (000-1) in various solvents by interface reconstruction

*Takeshi YOSHIKAWA¹, Hideto Aoki², Sakiko Kawanishi³, Takeshi Mitani⁴, Didier Chaussende⁵ (1. U. Tokyo (Currently Osaka Univ.), 2. U. Tokyo (Currently Nippon Yakin Kogyo), 3. Tohoku Univ. (Currently Kyoto Univ.), 4. AIST, 5. CNRS-SIMaP)

Keywords:SiC、ステップバンチング、溶液、界面再構成

著者らは界面再構成手法を用い、溶液と4H-SiC(000-1)界面におけるステップバンチング挙動の調査を行っている。本報告ではSi-Cr合金への添加成分がステップバンチングに与える影響について報告する。