[P] P8~P12

[P10] Voltage-induced switching of perpendicular exchange bias in Pt/Co/Ir/Cr₂O₃/Pt thin film with very low coercivity

*Hirofumi Ekawa¹, Jiaqi Shen¹, Kentaro Toyoki^1,2,3, Ryoichi Nakatani^1,2,3, Yu Shiratsuchi^1,2,3 (1. Depr. Mater. Sci. and Eng., Osaka Univ., 2. OTRI, Osaka Univ., 3. CSRN, Osaka Univ.)

Keywords:交換バイアス、電気磁気効果、保磁力、反強磁性スピントロニクス

本研究では，Pt/Co層とCr₂O₃層の界面にIrを挿入することで交換バイアスと保磁力を制御し，適切なIr層厚を持つ薄膜に対して，交換バイアスの極性を電圧で反転させた結果について報告する．