[P] P112~P121

[P116] stress reducing technology for high temperature resistant packaging using Ni micro plating bonding

*Shun Furuya¹, Hirose Takumi¹, Koshiba Keiko¹, Iizuka Tomonori¹, Tatsumi Kohei¹ (1. Waseda Univ.)

Keywords:SiCデバイス、パワーモジュール、NMPB、Niマイクロメッキ接合

近年、パワーデバイス分野においてSiC半導体が注目されているが、主な接合材料であるはんだは、耐熱性が不十分である。本研究では、低熱膨張金属をメッキ接合金属として用いた応力緩和実装構造の試作評価を行った。