[S3] S3.Architecture construction for functions and properties of materials IV -Reconsidering the principles for various diffusion processes and transport properties based on systematic classification by analogy-(1)

[S3.5] Effects of light irradiation on dislocation behavior in wurtzite semiconductors

*Hiroto OGURI¹, Yan LI¹, Eita TOCHIGI², Xufei FANG³, Kenichi TANIGAKI¹, Yu OSHIMA⁴, Katsuyuki MATSUNAGA⁴, Atsutomo NAKAMURA¹ (1. Osaka University, 2. The University of Tokyo, 3. TU Darmstadt, 4. Nagoya University)

Keywords:光インデンテーション法、ZnO、GaN、錐面すべり、光塑性効果

ウルツ鉱型半導体であるZnOおよびGaNの(0001)に対して光環境制御下でナノインデンテーション試験を実施した．光環境が錐面すべりを抑制すること，光環境の切り替えに伴い即座に転位挙動が変化することを見出した．