[G] Semiconductors/ Terahertz Light

[222] Non-linear current-voltage characteristics of metal-oxide-phase change material stacking device

*Shogo HATAYAMA¹, Yuta SAITO¹ (1. AIST)

Keywords:相変化材料、酸化物、非線形I-V特性、不揮発性メモリ

金属-酸化物-相変化材料の積層素子における非線形なI-V特性を評価し、当該素子構造がセレクタフリーな新規構造になり得るかどうかを調査した。