[P] P14~P18

[P16] La₂SnO₂S₃における点欠陥及び自己束縛電子に関する第一原理計算

*長藤 瑛哉¹、我毛 智哉¹、裵 星旻¹、高橋 亮¹、大場 史康¹ (1. 東工大)

キーワード：第一原理計算、点欠陥、ワイドギャップ半導体

本研究では、第一原理計算を用いてLa₂SnO₂S₃の点欠陥の性質を系統的に調査し、La₂SnO₂S₃のキャリアの生成・補償機構を明らかにした。