[P] P79~P91

[P82] 微小領域イオンビーム照射によるGeポーラス構造の形成

*出戸 仁一朗¹、上田 貴大¹、大石 脩人¹、新田 紀子² (1. 高知工大（院生）、2. 高知工大)

キーワード：Ge、イオンビーム、照射損傷、ライン、ポーラス構造

Geはイオンビームを照射することで、表面にナノからサブミクロンサイズのポーラス構造を形成させることが可能である。本研究では、微小領域に対してイオンビームを照射することで、Geの照射挙動を調べた。