[G] 電子材料・テラヘルツ光

[300] Si-Te系セレクタ材料の抵抗スイッチ挙動

*畑山 祥吾¹、齊藤 雄太^1,2、フォンス ポール³、シュアン イ²、キム ミヒョン²、須藤 祐司² (1. 産総研、2. 東北大、3. 慶応大)

キーワード：アモルファス半導体、抵抗スイッチ挙動、セレクタ、電子状態

Ovonic Threshold Switchと呼ばれる抵抗スイッチ現象には不明な点が多く、その原理解明が急務となっている。本研究では、Si-Te系セレクタ材料を対象に、抵抗スイッチ挙動について電子状態の観点から調査を行った。