[D] 一般講演D

[D6] CZ法を用いた二段階引き上げにより電位障壁を形成したBaAlSiクラスレートの熱電特性

^○荒木脩斗¹, 井上千穂¹, 松川祐子², 有田誠², 宗藤伸治² (1.九大/院生, 2.九大/院工)