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[PEM11-14] プラズマ圏ヒス波による非熱的電子のピッチ角散乱の直接観測
キーワード:プラズマ圏ヒス波、非熱的電子、ピッチ角拡散
ヒス波は数10-数100 keV電子の降りこみに寄与し、スロット領域の形成に重要な役割果たしていると考えられている。Van Allen Probesの観測ではスロット領域で高いL値ほど低エネルギーの電子消失が起こる様子が観測されており、このエネルギー依存の電子消失はヒス波の共鳴条件と整合的である。しかし、ヒス波による散乱と動径方向拡散を考慮したいくつかのモデルのlifetimeは長く、観測されているような輸送よりも速い消失を説明できないが、これはピッチ角拡散係数が小さすぎるためと思われる(Dαα<10-5 /s )。一方でピッチ角拡散の全球モデルによるとdaysideではヒス波によってDαα>10-4 /s の大きな拡散が起きることを示している。我々はERG搭載の高い角度分解能を持つ観測器MEP-eを用いたロスコーン角内の直接観測で、実際にプラズマ圏内でロスコーンが~10-100 keV電子で埋まることを発見した。また、いくつかのイベントでヒス波とロスコーン内の電子フラックスの強度が相関している様子を確認した。