半導体グレードシリコン表面のホウ素及びリンの超微量分析におけるトリプル四重極ICP-MSのパラメーターの影響

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Oral presentation

01：原子スペクトル分析

Sun. May 21, 2023 10:45 AM - 12:00 PM C (C12)

座長:朱彦北(国立研究開発法人産業技術総合研究所)

11:45 AM - 12:00 PM

○モハマッドＢ．シャバニ¹ (1. 三菱マテリアル（株）)

Keywords:Triple-Q-ICP-MS、シリコン、B 及び P

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