2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.8 結晶評価.ナノ不純物・結晶欠陥

[16p-B2-1~14] 15.8 結晶評価.ナノ不純物・結晶欠陥

2013年9月16日(月) 13:30 〜 17:15 B2 (TC2 1F-102)

13:30 〜 13:45

[16p-B2-1] 成長界面上の空孔の発生と結晶内部における格子間シリコンの発生 [1] 融液輻射による加熱

阿部孝夫1,高橋徹1,白井光雲2 (信越半導体1,阪大2)

キーワード:silicon,点欠陥