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一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[27a-G21-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月27日(水) 09:30 〜 11:45 G21 (B5号館 4F-2405)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27a-G21-1] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
六角形状GaNマイクロディスクにおける光共振機構の検討 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○光野徹也¹，酒井優²，岸野克巳³，原和彦¹ (静岡大¹，山梨大²，上智大³)

[27a-G21-2] △非対称 AlN/GaN 多層膜反射鏡の設計と作製 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○（B）萩原康大¹，矢木康太¹，安田俊輝¹，竹田健一郎¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大・理工¹，名古屋大・赤﨑記念研究センター²)

[27a-G21-3] 高品質(1-100)面自立AlGaN薄膜を有する高Q値(Q～4800)垂直微小共振器の作製と評価 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○有田宗貴¹，陶仁春²，加古敏²，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生産研²)

[27a-G21-4] ▲高Q値(>6900)AlN一次元フォトニック結晶ナノ共振器 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○Sylvain Sergent¹，有田宗貴¹，加古敏¹，田辺克明¹，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生産研²)

[27a-G21-4.1] 休憩(15分)

[27a-G21-5] △位置制御単一GaN/AlGaNナノワイヤ量子ドットからの室温PL発光 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○Kihyun Choi¹，加古敏¹，有田宗貴²，荒川泰彦^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²)

[27a-G21-6] 位置制御 GaN ナノワイヤ量子ドットにおけるスペクトル拡散の研究 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○Mark Holmes¹，加古敏^1,2，崔琦鉉²，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

[27a-G21-7] 窒化物半導体における光子－フォノン相互作用 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○八田佳祐，石谷善博 (千葉大院工)

[27a-G21-8] 遷移金属添加Ⅲ族窒化物薄膜の光学的特性 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○園田早紀¹，櫻井芳昭²，小笠原一禎³，石河孝洋⁴，石谷善博⁵ (京都工繊大¹，大阪産技研²，関西学院大理工³，阪大極限セ⁴，千葉大工⁵)