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06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[27a-PB2-1~24] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年3月27日(水) 09:30 〜 11:30 PB2 (第二体育館)

ポスター掲示時間9:30〜11:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[27a-PB2-1] △p型酸化物半導体/SiC/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリ (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○佐藤芳彦，須田良幸 (東京農工大院工)

[27a-PB2-2] △インピーダンス特性から見たCB-RAM の抵抗変化機構 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○吉原正人¹，木下健太郎^1,2，由良翔¹，岸田悟^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

[27a-PB2-3] △斜めスパッタ法により堆積された金属酸化物抵抗変化メモリのリセット動作特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○澤居優圭¹，木下健太郎^1,2，福原貴博¹，岸田悟^1,2 (鳥取大¹，TEDREC²)

[27a-PB2-4] △酸化物強磁性絶縁体/超伝導体トンネル接合の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（P）原田尚之，ミッコマトヴィエフ，高橋竜太，ミックリップマー (東大物性研)

[27a-PB2-5] △CdSe量子ドットを吸着したTiO2ナノチューブ電極の光電変換特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

金應旻¹，盛由貴¹，尾込裕平^2,3，早瀬修二^2,3，豊田太郎^1,3，^○沈青^1,3,4 (電気通信大¹，九工大院生命工学研究科²，JST CREST³，JSTさきがけ⁴)

[27a-PB2-6] ▼Density functional theory based analysis of oxygen adsorption on anatase (001) surface (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（D）Hoang Linh Nguyen，Shukri Ganes，笠井秀明 (阪大工)

[27a-PB2-7] ▲Optical and Photovoltaic Properties of CdSe Quantum Dot Sensitized Solar Cells Prepared with Different Cycles of Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (9:30 AM ～ 11:30 AM)

Witoon Yindeesuk¹，Qing Shen^1,2,3，^○Taro Toyoda^1,3 (電通大¹，PRESTO²，CREST³)

[27a-PB2-8] α-Fe₂O₃薄膜の光起電力特性とそのドーピング効果 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）山岸謙太¹，久々湊聡²，川江健¹，森本章治¹ (金沢大理工¹，金沢大院自然²)

[27a-PB2-9] SrZnO薄膜の光触媒効果 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○岡本透¹，荻田太郎¹，原子進¹，小室修二²，趙新為¹ (東理大理(ADL)¹，東洋大理工²)

[27a-PB2-10] 可視光透過型太陽電池に向けたGZO薄膜の作製と評価2 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○山口竜典¹，田中翔太¹，小畑努¹，手塚琢朗¹，李　　彤¹，原子進¹，小室修二²，趙新為¹ (理科大理¹，東洋大理工²)

[27a-PB2-11] 可視光透過型太陽電池に向けたGZO薄膜の作製と評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○田中翔太¹，小畑努¹，手塚琢朗¹，山口竜典¹，李　　彤¹，原子進¹，小室修二²，趙新為¹ (東京理科大¹，東洋大²)

[27a-PB2-12] Si基板上に作製したn-ZnO:Er₂O₃薄膜の光触媒効果2 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○荻田太郎¹，岡本透¹，原子進¹，小室修二²，趙新為¹ (東理大理(先端デバイス研究部門)¹，東洋大理工²)

[27a-PB2-13] 大気中光電子収量法によるTiO₂系光触媒材料の表面電子状態観察 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○山下大輔¹，石崎温史¹，山本知之² (理研計器¹，早大理工²)

[27a-PB2-14] TiO₂ハイブリッド薄膜を用いたリソグラフィプロセス (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○植村公亮¹，中野瑞記¹，尾﨑亮¹，前田篤志¹，松田厚範² (府大高専¹，豊橋技科大²)

[27a-PB2-15] 分子軌道計算によるNbO6八面体の連結様式が電子状態に及ぼす影響評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○桟敷剛¹，紅野安彦²，難波徳郎²，岡野寛¹ (香川高専¹，岡山大²)

[27a-PB2-16] 固相成長によるNbO₂薄膜の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○中尾祥一郎^1,2，廣瀬靖^1,2,3，福村知昭^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3 (KAST¹，CREST²，東大理³)

[27a-PB2-17] Mn添加酸化亜鉛薄膜半導体の磁気特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○岡本純平¹，原子進¹，小室修二²，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大工(先端光応用計測研究センター)²)

[27a-PB2-18] ゾルゲル法を用いたガラス基板上酸化亜鉛系透明薄膜トランジスタの作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○佐々木悟，前元利彦，尾形健一，佐々誠彦 (大工大院)

[27a-PB2-19] 対向ターゲット式スパッタ法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○Yusuke Okada，森田竜次，前元利彦，佐々誠彦 (大阪工大)

[27a-PB2-20] 電気化学処理を施した硫酸陽極酸化アルミナを用いた抵抗変化素子の電流電圧特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○谷本優輔¹，古屋沙絵子¹，大塚慎太郎²，清水智弘²，新宮原正三²，渡辺忠孝¹，高野良紀¹，高瀬浩一¹ (日大理工¹，関大システム理工²)

[27a-PB2-21] Conducting-bridgeメモリにおけるCu拡散経路の特定 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○由良翔¹，木下健太郎^1,2，山崎隆浩³，岸田悟^1,2，中田謙吾¹，石井晃¹ (鳥取大工¹，TEDREC²，富士通研³)

[27a-PB2-22] CaH₂反応によるSrCuO₂薄膜の構造変化 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○Ryosuke Takagi¹，Akira Chikamatsu^1,2，Tsukasa Katayama¹，Yasushi Hirose^1,2,3，Tomoteru Fukumura^1,2，Tetsuya Hasegawa^1,2,3 (東大院理¹，JST‐CREST²，KAST³)

[27a-PB2-23] SrTiO₃基板上に堆積させたSrRu_0.9Cr_0.1O₃薄膜の輸送・磁気特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○栗田佳織¹，近松彰^1,2，重松圭¹，福村知昭^1,2，長谷川哲也^1,2,3 (東大院理¹，JST-CREST²，KAST³)

[27a-PB2-24] 赤外線センサ検知部材料のためのTa・Wドープ酸化バナジウム膜の形成 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

石橋直幸，齋藤和弘，渡邊良祐，^○齋藤洋司 (成蹊大院理工)

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[27a-PB2-1~24] 6.3 酸化物エレクトロニクス