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一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[27p-A6-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

2013年3月27日(水) 13:30 〜 18:15 A6 (K1号館 3F-305)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27p-A6-0] 昼食(90分)

[27p-A6-1] 「6.薄膜・表面分科内招待講演」（30分）
超伝導キュービット・ダイヤモンドNVセンタハイブリッド量子系 (1:30 PM ～ 2:00 PM)

^○仙場浩一 (国立情報学研究所)

[27p-A6-2] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
ダイヤモンド中の単一NV中心における電荷状態の電気的制御 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○土井悠生¹，牧野俊晴²，加藤宙光²，小倉政彦²，竹内大輔²，大串秀世²，山崎聡²，Jörg Wrachtrup³，三輪真嗣¹，鈴木義茂¹，水落憲和¹ (阪大院基礎工¹，産総研エネ部門²，Stuttgart大³)

[27p-A6-3] △基板表面微細加工による窒素ドープ化学気相成長ダイヤモンド薄膜における窒素空孔中心のドーピング制御 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○富澤周平¹，大橋康平¹，伊藤公平¹，早瀬潤子¹，渡邊幸志²，梅澤仁²，鹿田真一² (慶大理工¹，産総研²)

[27p-A6-4] ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの規則配列作製Ⅱ (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○田村崇人¹，小松原彰¹，寺地徳之²，小野田忍³，大島武³，Christoph Müller⁴，Boris Naydenov⁴，Liam Mcguinness⁴，品田賢宏⁵，磯谷順一⁶，Fedor Jelezko⁴，谷井孝至¹ (早大理工¹，物材機構²，原子力機構³，ウルム大⁴，産総研⁵，筑波大⁶)

[27p-A6-5] 同位体濃縮ダイヤモンド合成のためのメタンガス高効率利用 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○寺地徳之¹，谷口尚¹，小泉聡¹，小出康夫¹，磯谷順一² (物材機構¹，筑波大²)

[27p-A6-6] △高濃度ボロンドープナノダイヤモンドを用いたＰ型透明伝導膜の作製 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○古閑三靖¹，栗原槙一郎¹，鹿又龍介¹，Xianfen Wang¹，Khalil Ishak Khairul¹，高野義彦²，山口尚秀²，長谷川雅考³，平岩篤¹，川原田洋¹ (早大理工¹，物材機構²，産総研³)

[27p-A6-6.1] 休憩(15分)

[27p-A6-7] DCプラズマ成長p型ホモ・エピ・ダイヤモンド(001)のショットキー障壁高さの電子分光研究 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○河野省三，市川公善，吉川太朗，児玉英之，澤邊厚仁 (青山学院大理工)

[27p-A6-8] Al₂O₃パッシベーションにより熱的安定化したNO₂吸着・水素終端ダイヤモンドFETの動作機構 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○平間一行¹，佐藤寿志¹，原田裕一¹，山本秀樹¹，嘉数誠^1,2 (NTT 物性研¹，佐賀大²)

[27p-A6-9] △絶縁性と耐環境性に優れた原子層堆積(ALD)Al₂O₃膜による水素終端ダイヤモンド表面の保護 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○齊藤達也，大長央，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

[27p-A6-10] △Al₂O₃ パッシベーションを施した水素終端ダイヤモンドMOSFET の400℃動作特性 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○坪井秀俊，成尾智也，大長央，斉藤達也，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

[27p-A6-11] ダイアモンド横型接合デバイスの耐圧評価 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○佐藤一樹¹，岩崎孝之¹，星野雄斗¹，加藤宙光²，牧野俊晴²，小倉政彦²，竹内大輔²，大串秀世²，山崎聡²，波多野睦子¹ (東工大¹，産総研²)

[27p-A6-11.1] 休憩(15分)

[27p-A6-12] ダイヤモンド半導体/ハーフメタルCo2MnSiショットキー接合の作製 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

宗宮崇，^○植田研二，西脇雅人，河本圭太，宮脇哲也，浅野秀文 (名大院工)

[27p-A6-13] ダイヤモンドショットキー接合の高温安定性評価 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○河本圭太，植田研二，宗宮嵩，西脇雅人，宮脇哲也，浅野秀文 (名大院工)

[27p-A6-14] △金属とp型ダイヤモンドの接触抵抗の(111)面と(100)面の比較 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○白田和也^1,3,4，松本翼^1,2,4，小倉政彦^1,4，加藤宙光^1,4，牧野俊晴^1,4，竹内大輔^1,4，大串秀世^1,4，山崎聡^1,2,4 (産総研¹，筑波大²，明大³，CREST⁴)

[27p-A6-15] △カーボン中間層挿入による金属/n型ダイヤモンド界面の接触抵抗低減 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○（D）松本翼^1,2,3，白田和也^2,3，加藤宙光^2,3，徳田規夫^2,3,4，竹内大輔^2,3，牧野俊晴^2,3，小倉政彦^2,3，大串秀世^2,3，山崎聡^1,2,3 (筑波大¹，産総研²，CREST³，金沢大⁴)

[27p-A6-16] △ダイヤモンド横型接合FETの温度特性 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○星野雄斗¹，岩崎孝之¹，都築康平¹，加藤宙光²，牧野俊晴²，小倉政彦²，竹内大輔²，大串秀世²，山崎聡²，波多野睦子¹ (東工大¹，産総研²)