[27p-G12-1] パルスアークプラズマ蒸着によるSiO2/Si(111)基板上グラフェン層の形成 (1:30 PM ～ 1:32 PM)

^○伴野和也，水野正也，藤田和久，江川孝志，曽我哲夫 (名工大)

[27p-G12-2] 塗布を用いたグラフェンの作製 (1:32 PM ～ 1:34 PM)

^○加藤幹大，大兼俊貴，宇木権一，原子進，趙新為 (東理大)

[27p-G12-3] EB蒸着法により作製したPt触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長 (1:34 PM ～ 1:36 PM)

^○近藤弘基¹，福岡直也¹，Ghosh Ranajit¹，成塚重弥¹，丸山隆浩¹，飯島澄男^1,2 (名城大理工¹，産総研²)

[27p-G12-4] △光学顕微鏡を用いたカーボンナノコイルの合成過程の観察 (1:36 PM ～ 1:38 PM)

^○郷原丈弘¹，有江隆之¹，岡田利幸²，野坂俊紀³，長谷川泰則³，秋田成司¹ (大阪府立大¹，日立造船²，大阪府立産技研³)

[27p-G12-5] 溶液合成した前駆体のMoS2への変化過程 (1:38 PM ～ 1:40 PM)

^○島田敏宏¹，橋本遊²，柳瀬隆¹，長浜太郎¹，米澤徹¹ (北大工¹，北大総合化学院²)

[27p-G12-6] 通電加熱法によるPMMA 塗布膜からのグラフェン合成 (1:40 PM ～ 1:42 PM)

^○馬場智矢¹，斉木幸一朗²，上野啓司¹ (埼玉大院理工¹，東大院新領域²)

[27p-G12-7] △CH4-CVD単層グラフェン成長におけるH2流量効果 (1:42 PM ～ 1:44 PM)

^○斉鈞雷^1,2，長汐晃輔¹，西村知紀¹，鳥海明¹ (東大¹，ハルビン工業大²)

[27p-G12-8] 金属中の拡散を利用した固体原料からのh-BN極薄膜の形成（2） (1:44 PM ～ 1:46 PM)

ロジェモルトパラレス，^○鈴木哲，カルロオロフェオ，日比野浩樹 (NTT物性科学基礎研)

[27p-G12-9] 可溶性酸化グラフェンを基盤材料とした結晶Si系太陽電池 (1:46 PM ～ 1:48 PM)

^○星野彩，渡邊郁弥，石川良，上野啓司，白井肇 (埼玉大工)

[27p-G12-10] 電気化学グラフェン合成法における印可電位の影響 (1:48 PM ～ 1:50 PM)

^○沖本治哉，高林駿，佐野正人 (山形大工)

[27p-G12-11] SiC/グラフェン界面へのシリコンインターカレーション (1:50 PM ～ 1:52 PM)

^○（B）木本真一，林真吾，萩原好人，梶原隆司，アントンビシコフスキー，田中悟 (九大院工)

[27p-G12-12] 触媒援用CVDによるSi基板上へのグラフェンの直接成長の可能性 (1:52 PM ～ 1:54 PM)

^○狩野樹，海老沼悟志，加藤輝，中村一馬，鈴木敏正 (日本工大)

[27p-G12-13] Si圧力に依存した4H-SiC{0001}上グラフェン成長安定化機構 (1:54 PM ～ 1:56 PM)

^○芦田晃嗣，久津間保徳，重政英史，玉井尚登，大谷昇，金子忠昭 (関学大理工)

[27p-G12-14] 鉄内包カーボンナノチューブの磁気特性における触媒薄膜の影響 (1:56 PM ～ 1:58 PM)

^○久保中伸雄，佐藤英樹，長田篤，藤原裕司 (三重大院工)

[27p-G12-15] 電流を印加した熱CVD法によるナノカーボン成長 (1:58 PM ～ 2:00 PM)

^○アワンムハマドリズアン，上野和良 (芝浦工大)

[27p-G12-16] SiC表面分解法による4H-SiC上へのCNT形成とCNT/4H-SiCヘテロ界面の電気的特性 (2:00 PM ～ 2:02 PM)

^○（M1）矢嶋孝敏¹，成塚重弥²，丸山隆浩³ (名城大理工¹，名城大理工²，名城大理工³)

[27p-G12-17] 電子線照射によるナノカーボン材料の機械的強度変化に関する原子応力解析 (2:02 PM ～ 2:04 PM)

^○多田和広¹，本田亮太¹，地原由倫²，安田雅昭²，川田博昭²，平井義彦² (富山高専¹，大阪府大院工²)

[27p-G12-18] グラファイトマイクロ粒子の力学的ナノ構造制御 (2:04 PM ～ 2:06 PM)

小川展弘¹，本塚智²，^○多賀谷基博³，赤塚史洋²，上原敬之²，本間剛²，小林高臣³ (東大海洋研¹，岐阜高専²，長岡技科大³)

[27p-G12-19] 剥離した高配向熱分解グラファイトへの臭素添加の検討 (2:06 PM ～ 2:08 PM)

^○今関兼也¹，小杉諒祐¹，若井貴史¹，宮崎久生²，佐久間尚志²，梶田明広²，酒井忠司²，上野和良¹ (芝浦工大¹，LEAP²)

[27p-G12-20] C₆₀－フェロセンハイブリッドナノシートの光学的性質 (2:08 PM ～ 2:10 PM)

^○會澤秀章¹，片浦弘道²，松石清人¹ (筑波大数物¹，産総研ナノテク²)

[27p-G12-21] 窒素ドープおよびホウ素ドープ単層カーボンナノチューブの作製とその分光学的評価 (2:10 PM ～ 2:12 PM)

^○大下賢一¹，鴨井督¹，金廷坤¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨弘¹ (京工繊大工¹，和大教育²)

[27p-G12-22] △熱量計測に向けたBi-material効果を用いた片持ちはりCNTの光熱駆動 (2:12 PM ～ 2:14 PM)

^○（M1）廣島成哉，吉仲淳，有江隆之，秋田成司 (大阪府立大)

[27p-G12-23] △光学顕微鏡下での片持ち梁カーボンナノチューブを用いた動的分子間力分光法 (2:14 PM ～ 2:16 PM)

^○（M1）寺田有希，畔柳俊紀，秋田成司，有江隆之 (大阪府立大)

[27p-G12-24] 窒素プラズマを用いた化学修飾によるカーボンナノウォールの構造および電気的特性の制御 (2:16 PM ～ 2:18 PM)

^○（DC）趙亨峻¹，近藤博基¹，石川健治¹，関根誠¹，平松美根男²，堀勝¹ (名大¹，名城大²)

[27p-G12-25] △カーボンナノウォールの結晶構造に対するラジカル酸化効果(Ⅱ) (2:18 PM ～ 2:20 PM)

^○下枝弘尚¹，近藤博基¹，石川健治¹，平松美根男²，関根誠¹，堀勝¹ (名大院工¹，名城大理工²)

[27p-G12-26] 有機分子を修飾したグラフェンFETの電気特性 (2:20 PM ～ 2:22 PM)

^○増島弘顕，森健彦，早水裕平 (東工大院理工)

[27p-G12-27] ▼Investigation of mechanical strain of graphene by Raman spectroscopy (2:22 PM ～ 2:24 PM)

^○Mark Bissett¹，泉田渉²，齋藤理一郎²，辻正治¹，吾郷浩樹¹ (九大先導研¹，東北大理²)

[27p-G12-28] ＡＦＭ電流マッピングによるグラフェンの局所的性質の評価 (2:24 PM ～ 2:26 PM)

^○井辻宏章，梶ヶ谷晋矢，荻野俊郎 (横国大工)

[27p-G12-29] SiC上のエピタキシャルグラフェンへのスピン注入(III) (2:26 PM ～ 2:28 PM)

^○（P）小西敬太，陽完治 (北大量子集積センター)

[27p-G12-30] 転写グラフェンの曲線状エッジにおける偏光顕微ラマン散乱分光 (2:28 PM ～ 2:30 PM)

^○玉川大輔¹，石田高章¹，田中悟²，橋本明弘¹ (福井大院工¹，九大院工²)

[27p-G12-31] レーザー光を照射したグラフェンの電子状態及び電子透過特性に関する理論的研究 (2:30 PM ～ 2:32 PM)

^○秋山剛志，小川真人，相馬聡文 (神戸大院工)

[27p-G12-32] 水素終端したグラフェンナノリボンの格子振動解析 (2:32 PM ～ 2:34 PM)

^○牛田憲次¹，Md. Sherajul Islam¹，田中悟²，橋本明弘¹ (福井大工¹，九大工²)

[27p-G12-33] 4H-SiC{0001}エピタキシャルグラフェンのフェムト秒近赤外過渡吸収分光と温度依存性 (2:34 PM ～ 2:36 PM)

^○重政英史，久津間保徳，大谷昇，金子忠昭，玉井尚登 (関学)

[27p-G12-34] 金ナノ構造体-グラフェン系のフェムト秒近赤外過渡吸収分光 (2:36 PM ～ 2:38 PM)

^○飛川慶治郎，重政英史，久津間保徳，大谷昇，金子忠昭，玉井尚登 (関学大理工)

[27p-G12-35] 高性能炭複合紙の作製と電気特性評価 (2:38 PM ～ 2:40 PM)

^○吉原万莉¹，田村亘弘²，大矢剛嗣¹ (横国大院工¹，平玄²)

[27p-G12-36] 色素増感型太陽電池基板としてのカーボンナノチューブ複合紙 (2:40 PM ～ 2:42 PM)

^○杉山誠一，辻雅也，大矢剛嗣 (横国大院工)

[27p-G12-37] カーボンナノチューブ複合紙のラマンマッピングを用いた人工物メトリクス認証 (2:42 PM ～ 2:44 PM)

山本一貴，^○大矢剛嗣 (横国大院工)

[27p-G12-38] CNT複合糸トランジスタの作製 (2:44 PM ～ 2:46 PM)

森亮介，^○大矢剛嗣 (横国大院工)

[27p-G12-39] カーボンナノチューブ塗料を用いた塗工型色素増感太陽電池の開発 (2:46 PM ～ 2:48 PM)

^○辻雅也，杉山誠一，大矢剛嗣 (横国大院工)

[27p-G12-40] 多層グラフェン配線へのインターカレーション (2:48 PM ～ 2:50 PM)

^○中野美尚，久保田一郎，周波，近藤大雄，佐藤信太郎，横山直樹 (産総研　GNC)

[27p-G12-41] 透明電極/p層界面に挿入したグラフェンのa-Siセル特性改善効果 (2:50 PM ～ 2:52 PM)

^○藤井健志¹，佐藤まり子¹，石川亮祐²，シッチャヌグリストポーポン²，久保登士和¹，斎藤哲哉¹，市川幸美¹，小長井誠² (富士電機¹，東工大²)

[27p-G12-42] 可溶性グラフェンを基盤材料に用いたZnO系TFT (2:52 PM ～ 2:54 PM)

^○柿沼貴之¹，菊池智大²，菅沼洸一³，石川良⁴，上野啓司⁵，白井肇⁶ (埼玉大理工研¹，埼玉大理工研²，埼玉大理工研³，埼玉大理工研⁴，埼玉大理工研⁵，埼玉大理工研⁶)

[27p-G12-43] ヘリウムイオンビームミリング技術を用いた極小グラフェン単電子トランジスタの作製 (2:54 PM ～ 2:56 PM)

Nima Kalhor¹，Shuojin Hang¹，^○（M1）岩崎拓哉²，Zakaria Moktadir¹，Stuart Boden¹，Manoharan Muruganathan²，水田博^1,2 (サザンプトン大¹，北陸先端大²)

[27p-G12-44] CVD合成グラフェンを用いたセンサアレイ (2:56 PM ～ 2:58 PM)

Mohd Zaifuddin Nursakinah¹，^○大野恭秀¹，岡本翔伍¹，前橋兼三¹，河原憲治²，吾郷浩樹²，松本和彦¹ (阪大産研¹，九大先導研²)

[27p-G12-45] GNR/hBN共鳴トンネルトランジスタのNEGFシミュレーション (2:58 PM ～ 3:00 PM)

枝川卓也¹，^○森伸也^1,2 (阪大工¹，JST CREST²)

[27p-G12-46] 2次元層状物質WSe₂を用いた電界効果トランジスタの作製と評価 (3:00 PM ～ 3:02 PM)

^○田端祐輔，上野啓司 (埼玉大院理工)

[27p-G12-47] HOPGのAFM局所陽極酸化 (3:02 PM ～ 3:04 PM)

^○宇木権一，加藤幹大，大兼俊貴，原子進，趙新為 (東理大理)

[27p-G12-48] High-k絶縁膜積層型カーボンナノチューブメモリのメモリ特性 (3:04 PM ～ 3:06 PM)

藤井雄介，清家康平，上村崇史，大野恭秀，^○前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (阪大産研)

セッション情報

[27p-G12-1~48] 17. ナノカーボン(ショート付きポスター講演)