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シンポジウム » ・プログラム構築された精密分子デバイス　-単分子系からメゾスコピック系まで-

[27p-G14-1~11] プログラム構築された精密分子デバイス　-単分子系からメゾスコピック系まで-

2013年3月27日(水) 13:00 〜 17:45 G14 (B5号館 3F-2302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27p-G14-1] 精密機能材料の創製に向けたデンドリマーリアクター（30分） (1:00 PM ～ 1:30 PM)

^○山元公寿 (東工大)

[27p-G14-2] 光誘起相転移をしめす多重双安定性金属錯体（30分） (1:30 PM ～ 2:00 PM)

^○大塩寛紀 (筑波大)

[27p-G14-3] 多孔性金属錯体結晶のダウンサイジング化によるメゾスコピック機能（30分） (2:00 PM ～ 2:30 PM)

^○北川進 (京大)

[27p-G14-4] 分子素子を目指したロタキサン型ポルフィリンーフタロシアニンスタッキングアレイの構築 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○山田泰之¹，石原悠²，三原のぞみ²，加藤立久³，田中健太郎^2,4 (名大物国センター¹，名大院理²，京大院環境³，CREST/JST⁴)

[27p-G14-5] ポテンシャル勾配を有する樹状高分子の創製 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○建アルブレヒト，山元公寿 (東工大資源研)

[27p-G14-6] ニッケルジチオレン錯体からなるBilayer Mott系物質のスピン状態 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○草本哲郎¹，山本浩史^2,3，田嶋尚也⁴，大島勇吾⁵，山下智史⁶，加藤礼三⁵ (東大院理¹，分子研²，JSTさきがけ³，東邦大院理⁴，理研⁵，阪大院理⁶)

[27p-G14-7] ▲Electroless Gold Plating Processes for the Fabrication of Nanogap Electrodes (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○Victor Serdio^1,2，武下宗平^1,2，東康男^1,2，寺西利治^2,3，真島豊^1,2 (東工大応セラ研¹，CREST-JST²，京大化研³)

[27p-G14-7.1] 休憩(15分)

[27p-G14-8] 金クラスターを内包したポルフィリン正六面体の合成と単電子デバイスへの応用（30分） (3:45 PM ～ 4:15 PM)

^○寺西利治^1,2，田中大介^1,2，坂本雅典^1,2,3 (京大化研¹，CREST-JST²，PRESTO-JST³)

[27p-G14-9] 界面ボトムアップ合成による金属錯体分子ワイヤ、ネットワークの作製と電子移動特性（30分） (4:15 PM ～ 4:45 PM)

^○西原寛 (東大院理)

[27p-G14-10] 化学集積素子－化学と半導体との融合による新しい素子の創製（30分） (4:45 PM ～ 5:15 PM)

^○中里和郎 (名古屋大学工)

[27p-G14-11] 精密制御した金属ナノコンタクトのエレクトロマイグレーションと単一分子トランジスタへの展開（30分） (5:15 PM ～ 5:45 PM)

^○平川一彦^1,2,3，吉田健治¹，坂田修一¹，梅野顕憲¹，岡村直柔¹ (東大生研¹，東大ナノ量子機構²，JST　CREST³)