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一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.2 II-VI族結晶

[27p-G19-1~9] 15.2 II-VI族結晶

2013年3月27日(水) 13:30 〜 15:45 G19 (B5号館 4F-2403)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[27p-G19-1] ▲Monodispersed chemical synthesis of ZnO nanostructures and effect of annealing on functional properties (1:30 PM ～ 1:45 PM)

Navaneethan Mani，Archana Jayaram，Arivanandhan Mukannan，小山忠信，^○早川泰弘 (静岡大電子研)

[27p-G19-2] MBEによる(Cd,Mn)Te自己形成ドット作製における発光特性の改善 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○古田敦，中澤文生，金澤研，黒田眞司 (筑波大院数理物質)

[27p-G19-3] InP基板上BeZnSeTe系Ⅱ-Ⅵ族半導体光デバイスにおけるZnSeTe p側コンタクト層の効果 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○（B）高松眞吾，野村一郎，小林俊輝，岸野克己 (上智大理工)

[27p-G19-4] ZnTe基板上へのZnMgSeTe四元混晶のMBE成長 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○長尾康弘¹，溝口耕輔¹，田中徹^1,2，斉藤勝彦¹，郭其新¹，西尾光弘¹ (佐賀大理工¹，JSTさきがけ²)

[27p-G19-5] サファイアm面基板上ZnTe薄膜の成長とバッファ層による影響の評価 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○中須大蔵¹，小林正和^1,2，都甲浩芳³，朝日聡明⁴ (早大先進理工¹，早大材研²，NTT³，JX金属⁴)

[27p-G19-6] 近接昇華法による各種面方位サファイア基板上のAgGaTe₂作製 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○宇留野彩¹，小林正和^1,2 (早大先進理工¹，早大材研²)

[27p-G19-7] X線検出器用多結晶CdZnTe膜の形態の制御と特性変化 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○羽江卓真¹，奥山将吾¹，吉松聖菜²，土岐貴弘²，佐藤敏幸^1,2，岡本保³ (奈良先端科学技術大物質¹，島津製作所²，木更津高専³)

[27p-G19-8] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(ⅩⅢ) ～CdTe/Si成長層のアニール処理の検討～ (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○和嶋悠人，近藤嵩輝，難波秀平，村松慎也，山下隼，鈴木悠太，高井紀明，塚本祐生，塚本雄大，松本雅彦，安形保則，Madan Niraula，安田和人 (名工大院工)

[27p-G19-9] MOVPE法による大面積CdTe X線・γ線画像検出器に関する研究(ⅩIII) (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○山下隼，近藤嵩輝，難波秀平，村松慎也，和嶋悠人，鈴木悠太，高井紀明，塚本祐生，塚本雄大，松本雅彦，安形保則，マダンニラウラ，安田和人 (名工大院工)