[27p-PB5-1~13] 13.6 Siデバイス／集積化技術

2013年3月27日(水) 13:30 〜 15:30 PB5 (第二体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27p-PB5-1] 急峻なサブスレッショルド特性を持つボディコンタクト付きSOI MOSFETにおけるヒステリシス特性の制御 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○森貴之，増田大樹，井田次郎 (金沢工大)

[27p-PB5-2] ▼Drain-Current Fluctuation during Dynamic Gate Bias in Si MOSFETs due to Random Telegraph Noise (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○馮ウェイ^1,2，山田啓作^1,2，大毛利健治^1,2 (筑波大¹，JST-CREST²)

[27p-PB5-3] △酸化濃縮法Ge-On-Insulator層の薄膜化がMOS界面正孔移動度に与える効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○忻宇飛¹，金栄現¹，Rui Zhang¹，長田剛規²，秦雅彦²，横山正史¹，竹中充¹，高木信一¹ (東大¹，住友化学²)

[27p-PB5-4] 極薄膜In_xGa_1-xAs-OI MOSFETの電子移動度に与える膜厚揺らぎ散乱の影響 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○金相賢^1,2，横山正文¹，田岡紀之¹，中根了昌¹，長田剛規³，市川磨³，福原昇³，秦雅彦³，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，日本学術振興会特別研究員²，住友化学³)

[27p-PB5-5] Junction-less InGaAs-OI Tri-gate nMOSFETsにおける高移動度実現 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○入沢寿史¹，小田穣¹，守山佳彦¹，池田圭司¹，三枝栄子¹，Wipakorn Jevasuwan¹，前田辰朗¹，市川麿²，石原敏雄²，秦雅彦²，手塚勉² (産総研GNC¹，住友化学²)

[27p-PB5-6] 4 端子トンネルFinFETs におけるセカンドゲートを用いたV_th調整 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○水林亘^{1, 2}，福田浩一^{1, 2}，森貴洋^{1, 2}，遠藤和彦^{1, 2}，柳永勛^{1, 2}，松川貴^{1, 2}，大内真一^{1, 2}，石川由紀²，右田真司^{1, 2}，森田行則^{1, 2}，田邊顕人^1,2，塚田順一²，山内洋美²，昌原明植^1,2，太田裕之^1,2 (GNC-産総研¹，産総研-NeRI²)