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一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[28a-D3-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

2013年3月28日(木) 10:00 〜 12:45 D3 (C5号館 3F-324)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28a-D3-1] ⁵⁷Fe濃縮BiFeO₃薄膜の微構造制御とメスバウア･スペクトル (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○田中清高¹，塚本美徳²，岡村総一郎³，吉田豊² (静理大総技研¹，静理大理工²，東理大理³)

[28a-D3-2] △MOD法BiFeO₃薄膜焼成プロセスの改良 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○（B）河原英彰，山下馨，野田実 (京工繊工芸)

[28a-D3-3] BiFeO₃エピタキシャル薄膜の正方晶歪の制御とその圧電特性 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○川原祐作，氏本勝也，吉村武，藤村紀文 (阪府大工)

[28a-D3-4] BiFeO₃エピタキシャル薄膜の非線形圧電応答 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

氏本勝也，川原祐作，^○吉村武，藤村紀文 (阪府大院工)

[28a-D3-5] RFプレーナマグネトロンスパッタ法を用いたエピタキシャルBiFeO₃薄膜の作製(III) (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○内田智久¹，高田祐介¹，伊藤太紀¹，榎本裕也¹，貴傳名健吾¹，中嶋誠二¹，藤沢浩訓¹，小舟正文¹，坂田修身²，勝矢良雄²，清水勝¹ (兵庫県大工¹，NIMS/SPring-8²)

[28a-D3-5.1] 休憩(15分)

[28a-D3-6] 磁場印加PLDで作製したBiFeO₃薄膜の柱状構造成長過程の検討 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○金島岳¹，朴正敏¹，奥山雅則² (阪大基礎工¹，阪大ナノサイエンスデザイン教育研究セ²)

[28a-D3-7] BiFeO₃/B添加ダイヤモンド積層構造における欠陥準位評価 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○（B）木下昂洋¹，川崎寛樹²，野村幸寛²，野村圭介¹，立居卓志²，川江健¹，森本章治¹ (金沢大理工¹，金沢大院自然²)

[28a-D3-8] (111)配向BiFeO3系マルチフェロイック薄膜の低温形成－スパッタリング成膜中におけるVHFプラズマ照射の効果－ (12:00 PM ～ 12:15 AM)

菅原祐輔，^○吉村哲，齊藤準 (秋田大院工資)

[28a-D3-9] △面直電場印加によるBiFeO₃/CoFe₂O₄積層薄膜の電気磁気効果 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○曽根圭太¹，伊藤正樹¹，永沼博²，宮崎孝道²，中嶋宇史²，岡村総一郎¹ (東理大¹，東北大²)

[28a-D3-10] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
放射光 X 線を用いた(111)/(11-1)配向菱面体晶エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃膜の電場印加による非分極軸ドメインスイッチングのその場観察 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○江原祥隆¹，安井信太郎¹，及川貴弘¹，白石貴久¹，山田智明²，今井康彦³，田尻寛男³，坂田修身⁴，舟窪浩¹ (東工大院¹，名大²，JASRI/SPring-8³，NIMS/SPrin-8⁴)