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シンポジウム » ・半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28a-G20-1~10] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

2013年3月28日(木) 09:30 〜 12:30 G20 (B5号館 4F-2404)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28a-G20-1] 自己形成量子ドットはどこまで制御できるか（30分） (9:30 AM ～ 10:00 AM)

^○山口浩一 (電通大)

[28a-G20-2] InAs/GaAs量子ドットのフォトルミネッセンス測定　～スペクトル幅のドット密度依存性～ (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○渡邉克之¹，荒川泰彦^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²)

[28a-G20-3] InP(001)微傾斜基板上におけるInAs量子ドット形成 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○赤羽浩一，山本直克 (情通機構)

[28a-G20-4] MOCVD法によるGaP基板上GaInAs量子ドットの形成と発光評価 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○（M1）星野文哉，宮本智之，古川聖紘 (東工大精研)

[28a-G20-4.1] 休憩(15分)

[28a-G20-5] InGaAsキャップ層の膜厚制御によるInAs量子ドット発光波長の変化 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○下村憲一，神谷格 (豊田工大)

[28a-G20-6] 1.0～1.3μm帯での広帯域量子ドットLDの発振波長制御 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○吉沢勝美¹，沢渡義規¹，赤羽浩一²，山本直克² (パイオニアマイクロテクノロジー¹，情報通信研究機構²)

[28a-G20-7] 近赤外広帯域光源を目指したInAs量子ドットLDの発光特性 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○沢渡義規¹，吉沢勝美¹，赤羽浩一²，山本直克² (パイオニアマイクロテクノロジー¹，情報通信研究機構²)

[28a-G20-8] InAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器による二波長面発光レーザの室温光励起発振 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○北田貴弘，原山千穂，森田健，井須俊郎 (徳島大院フロンティア)

[28a-G20-9] 1100nm帯InGaAs量子ドットレーザのMBE成長 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○影山健生^1,2，西研一^1,2，前多泰成¹，武政敬三^1,2，菅原充^1,2，荒川泰彦^2,3 (QDレーザ¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

[28a-G20-10] 狭スペクトル幅で広発光波長範囲のCdSe系量子ドットの液相合成とガラスカプセルへの封入 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○村瀬至生，楊萍，李春亮 (産総研健康工学)