セッション情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

2013年3月28日(木) 09:00 〜 11:45 G9 (B5号館 2F-2203)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[28a-G9-1] BiCS型三次元積層NANDフラッシュメモリにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計方針 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○宮地幸祐¹，柳原裕貴²，竹内健¹ (中大¹，東大²)

[28a-G9-2] 統合ソリッドステートストレージアーキテクチャ (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○田中丸周平^1,2，土井雅史¹，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

[28a-G9-3] 統合ソリッドステードストレージの信頼性評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○土井雅史¹，田中丸周平^1,2，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

[28a-G9-4] 20nm世代TLC(3bit/cell) NANDフラッシュメモリの信頼性評価 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○山根佳彦¹，蜂谷尚悟¹，田中丸周平^1,2，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

[28a-G9-5] 硝酸酸化（NAOS）膜の超低消費電力型ガラス基板上CPUや恒久保存メモリ「デジタルロゼッタストーン」への応用 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○松本健俊，赤井智喜，今井繁規，小林光 (阪大産研、CREST-JST)

[28a-G9-6] 不良セルへの電荷同時注入による修復技術を用いた低消費電力6T-SRAM (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○宮地幸祐¹，宮野信治²，竹内健¹ (中大¹，半導体理工学研究センター²)

[28a-G9-7] ナノCMOS技術を用いた擬似スピンMOSFETおよび不揮発性SRAMセルの性能と設計 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○周藤悠介^1,3,4，山本修一郎^2,3，菅原聡^1,3 (東工大像情報¹，東工大総理工²，科技機構CREST³，神奈川科学技術アカデミー⁴)

[28a-G9-8] 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性デュアルポートSRAMセルの提案とNVPG応用 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

山本修一郎¹，^○周藤悠介^2,3，菅原聡^1,2 (東工大院総理工¹，東工大像情報²，神奈川科学技術アカデミー³)

[28a-G9-9] ▲SRAM安定性の製造後自己修復手法に向けたPFETのオフ状態ストレスにおけるVth シフトとばらつきのストレス条件依存性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○Nurul Ezaila Alias¹，Anil Kumar²，更屋拓哉³，宮野信治⁴，俊郎平本⁵ (University of Tokyo¹，University of Tokyo²，University of Tokyo³，Semiconductor Technology Academic Research Center⁴，University of Tokyo⁵)

[28a-G9-10] Silicon-on-Thin-Buried Oxide(SOTB) CMOS SRAMの0.4V動作に対するVthばらつきの影響 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○篠原博文¹，山本芳樹¹，槇山秀樹¹，岩松俊明¹，尾田秀一¹，蒲原史朗¹，杉井信之¹，山口泰男¹，水谷朋子²，平本俊郎² (ＬＥＡＰ¹，東大生研²)

[28a-G9-11] 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるサブスレッショルド係数ばらつきの統計的解析 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○水谷朋子¹，山本芳樹²，槇山秀樹²，篠原博文²，岩松俊明²，尾田秀一²，杉井信之²，平本俊郎¹ (東大生研¹，LEAP²)