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一般セッション(口頭講演)
06.薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
[28p-F2-1~19] 6.3 酸化物エレクトロニクス
2013年3月28日(木) 14:00 〜 19:00 F2 (E3号館 3F-303)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
○羽賀浩一1,大島直到1,滝澤義浩1,湯蓋邦夫2,宍戸統悦2 (仙台高専1,東北大金研2)
○梶川靖友 (島根大総合理工)
○(PC)李寧,金敬鎬,阿部良夫,川村みどり (北見工大)
○反保智貴1,小塚裕介1,Joseph Falson2,塚﨑敦2,3,川﨑雅司1 (東大院工1,東大新領域2,JSTさきがけ3)
○(B)田中一成1,ジョセフ フォルソン2,小塚裕介1,叶劍挺1,吉田将郎1,岩佐義宏1,塚﨑敦2,3,川﨑雅司1 (東大院工1,東大新領域2,JST-さきがけ3)
○盛由貴1,Chunyan Luan2,Zapien Juan2,尾込裕平3,早瀬修二3,4,奥野剛史1,豊田太郎1,4,沈青1,4,5 (電気通信大1,Hong Kong City Univ.2,九工大院生命体工3,JST CREST4,JST さきがけ5)
○後藤佑太,羽場洋輔,一戸隆久 (東京工業高等専門学校)
○小田信彦1,野瀬健二2,神子公男2,光田好孝2 (東大院工1,東大生研2)
○(M1)紫垣延洋1,細野秀雄1,2,浜名康全3,中村公嗣3,須崎友文1 (東工大応セラ研1,東工大フロンティア2,浜松ホトニクス3)
○大橋義信1,櫻川康志1,吉岡秀樹2,清川敏夫3,山本伸一1 (龍谷大院理工1,兵庫工技セ2,タテホ化学工業3)
○真野昌平,江森万里,草野大悟,崎野亜紀子,岩崎達也,坂間弘 (上智大理工)
○山田良隆1,以西雅章1,渥美剛1,白木遼1,安田洋司2,星陽一2 (静岡大1,東京工芸大2)
○川崎聖治1,高橋竜太1,ミック リップマー1,工藤昭彦2 (東大物性研1,東理大理2)
○横山耕祐1,大島孝仁1,大友明1,2,3 (東工大院理工1,元素戦略2,JST-ALCA3)
○柴田恭幸1,小林航1,2,守友浩1,2 (筑波大数理1,TIMS2)
○熊谷明哉,清水亮太,大澤健男,鈴木竜,白木将,一杉太郎 (東北大 WPI-AIMR)
○橘田晃宜,秋田知樹,香山正憲 (産総研)
○白木将1,熊谷明哉1,高木由貴1,大木栄幹2,3,清水亮太1,鈴木竜1,大澤健男1,一杉太郎1 (東北大WPI-AIMR1,東大新領域2,トヨタ自動車3)
○白木将1,高木由貴1,大木栄幹2,3,熊谷明哉1,清水亮太1,鈴木竜1,大澤健男1,一杉太郎1 (東北大WPI-AIMR1,東大新領域2,トヨタ自動車3)