[28p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:30 G19 (B5号館 4F-2403)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

[28p-G19-0] 昼食(60分)

^○梅本宏信¹，石川卓末¹，西原裕心¹，安井寛治²，西山洋²，井上泰宣²，牛島満³ (静岡大工¹，長岡技科大²，東京エレクトロン³)

^○竹内智彦，永冨瑛智，山口直也，加藤孝弘，安井寛治 (長岡技科大工)

^○竹澤和樹¹，小柳貴寛¹，加藤孝弘¹，片桐裕則²，神保和夫²，大石耕一郎²，安井寛治¹ (長岡技科大¹，長岡高専²)

^○山口直也，永冨瑛智，竹内智彦，加藤孝弘，安井寛治 (長岡技科大工)

^○濱田夕慎，高橋昌幸，重野宏豊，田沼秀隆，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

^○板垣奈穂^1,2，桑原和成¹，山下大輔¹，徐鉉雄¹，鎌滝晋礼³，内田儀一郎¹，古閑一憲¹，白谷正治¹ (九大シス情¹，JSTさきがけ²，九大基幹教育院³)

^○中村立，吉村武，芦田淳，藤村紀文 (阪府大院工)

^○中村立¹，長田貴弘²，早川竜馬²，呉承俊³，廣芝伸哉²，藤村紀文¹，知京豊裕²，若山裕^2,3 (阪府大院工¹，物材機構²，九大院工³)

^○雨倉宏¹，Tarjei Bondevik^1,2 (物材機構¹，ノルウェー科技大²)

^○房崎晃士，岡崎功太，東畠三洋，中村大輔，岡田龍雄 (九大)

^○阿部貴美¹，中川玲¹，千葉鉄也¹，中川美智子¹，高橋修三¹，千葉茂樹¹，柏葉安宏²，大坊真洋¹，新倉郁生¹，柏葉安兵衛¹，藤原民也¹，長田洋¹ (岩手大¹，仙台高専²)

^○（M1）神取祐治，安部功二 (名古屋工業大院)

^○赤尾卓哉，小松和也，瀬野祐樹，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山隆 (秋田県立大システム科学技術)

^○Sanjay Kumar Mohanta，Nobuaki Ohmura，Atsushi Nakamura，Jiro Temmyo (Shizuoka University)

^○（M1）向井和哉¹，大仲崇之¹，小池一歩¹，前元利彦¹，佐々誠彦¹，矢野満明¹，門倉貞夫²，中光豊² (大阪工大ナノ材研センタ¹，FTS²)

^○遠藤治之¹，大橋律男²，阿部貴志¹，高橋強¹，柏葉安兵衛³ (岩手県工技センタ¹，イーエムシー半導体²，岩手大³)

^○瀬野祐樹，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山隆 (秋田県立大)