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一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術
[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術
2013年3月28日(木) 14:30 〜 18:45 G2 (B5号館 1F-2102)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
○張睿1,林汝静1,黄博勤1,田岡紀之1,2,竹中充1,高木信一1 (東大院工1,名大院工2)
○西村知紀1,2,李忠賢1,2,長汐晃輔1,2,鳥海明1,2 (東大院工1,JST-CREST2)
○小川慎吾1, 2,秀島伊織2,箕浦佑也2,木村耕輔1,川崎直彦1,安居麻美1,宮田洋明1,山元隆志1,細井卓治2,志村考功2,渡部平司2 (TRC1,阪大院工2)
○中島寛1,王冬2,山本圭介1,3 (九大産学連携センター1,九大総理工2,学振特別研究員3)
○山口まりな,中谷友哉,岩崎好孝,上野智雄 (東京農工大・工)
○宋宇振1,2,李忠賢1,2,西村智紀1,2,長汐晃輔1,2,鳥海明1,2 (東京大学大学院1,JST-CREST2)
○李忠賢1,2,西村知紀1,2,田畑俊行1,2,長汐晃輔1,2,鳥海明1,2 (東大1,JST-CREST2)
○黒柳洋真,中谷友哉,岩崎好孝,上野智雄 (東京農工大・工)
○(DC)田畑俊行,長汐晃輔,鳥海明 (東大院工)
○(M2)秀島伊織1,田中亮平1,箕浦佑也1,吉越章隆2,寺岡有殿2,細井卓治1,志村孝功1,渡部平司1 (阪大院1,日本原子力研究開発機構2)
○柴山茂久1,加藤公彦1,2,坂下満男1,竹内和歌奈1,田岡紀之1,中塚理1,財満鎭明1 (名大院工1,学振特別研究員2)
○和田章良1,2,中山大樹1,Rui Zhang3,高木信一3,寒川誠二1,4 (東北大流体研1,東北大μSIC2,東大院工3,東北大WPI-AIMR4)
○(P)張睿,黄博勤,林汝静,竹中充,高木信一 (東大院工)
○(P)張睿,黄博勤,林汝静,竹中充,高木信一 (東大院工)
○中村俊允1,西村知紀1,2,長汐晃輔1,2,鳥海明1,2 (東大工1,JST-CREST2)
○永冨雄太1,小島秀太1,亀沢翔1,山本圭介2,3,王冬1,中島寛2 (九大総理工1,九大・産学連携センター2,学振特別研究員3)