[28p-G21-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月28日(木) 15:45 〜 19:00 G21 (B5号館 4F-2405)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

[28p-G21-1] 安定化ジルコニア基板上へのN極性InN薄膜の成長 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○大関正彬¹，大久保佳奈¹，小林篤¹，太田実雄¹，尾嶋正治²，藤岡洋^1,3 (東大生研¹，東大院工²，JST-CREST³)

^○大久保佳奈¹，小林篤¹，太田実雄¹，尾嶋正治²，藤岡洋^1,3 (東大生研¹，東大院工²，JST-CREST³)

^○伊藤剛輝¹，小林篤²，太田実雄²，藤岡洋^2,4，尾嶋正治³ (東大工¹，東大生研²，東大院工³，JST-CREST⁴)

^○今井大地¹，石谷善博¹，王新強³，草部一秀²，吉川明彦² (千葉大院工¹，千葉大SMART²，北京大物理³)

^○淀徳男¹，井上直哉²，塩尻大士²，譚ゴオン²，熊谷典子²，松田晃史²，吉本護² (大工大工¹，東工大総理工²)

^○荒木努¹，阪口順一¹，内村智¹，名西やす之^2,3，Tatsuya Fujishima⁴，Tomás Palacios⁴，Amaia Zurutuza⁵ (立命館大理工¹，立命館大R-GIRO²，ソウル国立大³，マサチューセッツ工科大⁴，Graphenea⁵)

^○（PC）石沢峻介¹，岸野克巳^1,2 (上智大理工¹，上智ナノテク²)

^○山野晃司¹，岸野克巳^1,2，関口寛人³，若原昭浩³ (上智大理工¹，上智ナノテク研究センター²，豊橋技大工³)

^○高橋敦¹，岸野克巳^1,2 (上智理工¹，上智ナノテク²)

^○沈旭強，高橋言緒，植竹哲平，坂村裕一，井手利英，清水三聡 (産総研)

^○杉浦洋平^1,2，山口智広¹，本田徹¹，東脇正高^2,3 (工学院大工¹，情通機構²，JSTさきがけ³)

^○斉藤博¹，今井和明²，鈴木和彦² (岡山理大理¹，道工大工²)