[28p-G8-1~14] 13.2 半導体表面

2013年3月28日(木) 13:00 〜 16:45 G8 (B5号館 2F-2202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

[28p-G8-1] Si(110)表面の五員環構造 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○山崎隆浩¹，加藤弘一²，宇田毅³，大野隆央^4,5 (富士通研¹，東芝R＆Dセンター²，ASMS³，物材機構⁴，東大生研⁵)

^○（M1）土井修平，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大)

^○英良和，鈴木仁，高萩隆行，坂上弘之 (広島大先端研)

^○有馬健太¹，村敦史¹，秀島伊織¹，細井卓治¹，渡部平司¹，Zhi Liu² (阪大院工¹，バークレー国立研²)

^○Hirofumi Shimizu，今村仙治，眞田悠司 (日大工)

^○韓大熙，大見俊一郎 (東工大)

^○平野利典¹，打越純一¹，大谷真輝¹，永井隆文²，足達健二²，川合健太郎¹，有馬健太¹，森田瑞穂¹ (阪大¹，ダイキン工業²)

^○上野恵二¹，嵯峨幸一郎²，小林駿介³，末岡浩治³ (ソニーセミコンダクタ¹，ソニー²，岡山県立大³)

^○小林駿介¹，柴田大生¹，末岡浩治¹，小町潤²，嵯峨幸一郎² (岡山県大院情報系工¹，ソニー²)

^○山口康隆¹，川上雅之²，矢野大作²，山中弘次² (阪大院工¹，オルガノ²)

^○奥山敦¹，齋藤卓¹，萩本賢哉²，岩元勇人² (ソニーセミコンダクタ¹，ソニー²)

^○能登雄佑¹，新井祐¹，高橋聖司¹，河野昭彦¹，石川健治²，堀勝²，堀邊英夫¹ (金沢工大¹，名古屋大²)

^○（DC）後藤洋介¹，安形行広¹，柄崎絵美¹，高橋聖司¹，小池国彦²，山岸忠明³，堀邊英夫¹ (金沢工大¹，岩谷産業²，金沢大³)

^○橋本正利，都築修一 (日本ポール)