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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28p-G9-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

2013年3月28日(木) 13:30 〜 18:30 G9 (B5号館 2F-2203)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28p-G9-0] 昼食(105分)

[28p-G9-1] シリコンテクノロジー分科会賞授賞式（15分） (1:30 PM ～ 1:45 PM)

[28p-G9-2] 「第4回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演」（30分）
原子移動型スイッチの低電圧化と信頼性の改善 (1:45 PM ～ 2:15 PM)

^○多田宗弘，阪本利司，宮村信，伴野直樹，岡本浩一郎，井口憲幸，波田博光 (LEAP)

[28p-G9-3] 「第4回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演」（15分）
高アスペクト比TSVへの無電解めっき皮膜形成に向けたPdナノ粒子触媒吸着 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○井上史大¹，清水智弘¹，三宅浩志¹，有馬良平¹，伊藤俊彦²，關洋文²，篠崎夕子²，山本智彦²，新宮原正三¹ (関西大工¹，東レリサーチセンター²)

[28p-G9-4] △自己組織化静電仮接合を用いたC2W三次元集積化技術 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○（M2）橋口日出登¹，福島誉史²，裵志哲²，Murugesan Mariappan²，木野久志¹，李康旭²，田中徹^{1, 3}，小柳光正² (東北大院工¹，東北大未来研²，東北大院医工³)

[28p-G9-5] ▼質量検出型平面共鳴ナノエレクトロメカニカルセンサー (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○（P）Faezeh Arab Hassani¹，Cecilia Dupre²，Eric Ollier²，Cornel Cobianu³，Silvia Armini⁴，Vladimir Cherman⁴，Adrian Mihai Ionescu⁵，土屋良重⁶，水田博^1,6 (北陸先端大¹，CEA-LETI²，ハネウェル³，IMEC⁴，EPFL⁵，サザンプトン大⁶)

[28p-G9-6] ▲Monolithically integrated MOSFETs capable to drive silicon-wire-waveguide based thermal-optic Mach-Zehnder interferometer switches (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○Guangwei Cong¹，松川貴²，千葉正²，田所宏文²，柳原昌志²，大野守史²，河島整¹，鍬塚治彦¹，五十嵐泰史²，昌原明植²，石川浩¹ (産総研¹，産総研²)

[28p-G9-7] Siを金属化させるS原子ペアーの電子構造 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○加藤弘一，丸亀孝生，西義史，三谷祐一郎 (東芝研開セ)

[28p-G9-8] 数nm-CMOS 素子用2 次元Si 層の検討（I）：フォノン閉じ込め効果の面方位/歪み依存性 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○中原雄太，永田祐介，青木孝，鮫島俊之，水野智久 (神奈川大理)

[28p-G9-9] 数nm-CMOS 素子用2 次元Si 層の検討（II）：バンド構造の変調効果 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○永田祐介¹，中原雄太¹，青木孝¹，鮫島俊之²，水野智久¹ (神奈川大理¹，東京農工大工²)

[28p-G9-9.1] 休憩(15分)

[28p-G9-10] 水素アニールによるSiナノワイヤ平滑化における方位依存性 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○（DC）森岡直也，須田淳，木本恒暢 (京大院工)

[28p-G9-11] 異方性ウェットエッチングを利用して作製したチャネル長3 nmの接合レス型トランジスタの動作 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○右田真司，森田行則，昌原明植，太田裕之 (産総研-GNC)

[28p-G9-12] Thin-BOX GOI-pMOSFETのバックゲートバイアスによるしきい値変調 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○池田圭司¹，守山佳彦^1,2，小野瑞城¹，上牟田雄一¹，入沢寿史¹，鎌田善己¹，酒井朗²，手塚勉¹ (産総研GNC¹，大阪大院基礎工²)

[28p-G9-13] 9nm極薄埋込み酸化膜(ETBOX)SOI基板を用いたVth可変FinFETの作製 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○遠藤和彦，右田真司，石川由紀，柳永勛，松川貴，大内真一，塚田順一，水林亘，森田行則，太田裕之，山内洋美，昌原明植 (産総研ナノエレ部門)

[28p-G9-14] 非晶質金属ゲートによるFinFETの特性ばらつき抑制 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○松川貴，柳永勛，水林亘，塚田順一，山内洋美，遠藤和彦，石川由紀，大内真一，太田裕之，右田真司，森田行則，昌原明植 (産総研)

[28p-G9-15] フォノン凖弾道輸送効果がFinFETの熱伝導特性に与える影響 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○久木田健太郎¹，インドラヌルアディスシロ¹，鎌倉良成^1,2 (阪大院工¹，JST CREST²)

[28p-G9-16] 熱配慮設計によるFinFETアナログ特性の最適化 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○（D）高橋綱己^1,2，別府伸耕^1,2，小田俊理³，内田建^1,2 (東工大電物¹，慶大電子工²，東工大量子ナノエレ研セ³)

[28p-G9-17] △歪みによる電子移動度向上へMOS界面における変形ポテンシャル上昇が与える影響 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○大橋輝之^1,2，小田俊理³，内田建^1,2 (東工大院理工電子物理¹，慶應大電子工²，東工大量子ナノ研セ³)

[28p-G9-18] HfGeメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○佐田隆宏¹，山本圭介^2,3，王冬¹，中島寛² (九大・院総合理工¹，九大・産学連携センター²，学振特別研究員³)