[28p-PA1-1] RF-MBE法による立方晶InNドット積層構造の作製 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○鈴木潤一郎，折原操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 (埼玉大院理工)

[28p-PA1-2] 電界効果MOCVDによるSi(100)基板上へのInNの成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○太田優一，犬島喬 (東海大　総合理工)

[28p-PA1-3] ラマン散乱によるHVPE成長InN膜の結晶性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○金廷坤¹，小池隆¹，中西晋一¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨弘¹，王娟³，李元在³ (京工繊大¹，和大²，東義大³)

[28p-PA1-4] 硬X線光電子分光法を用いたMgドープIn0.70Ga0.30Nの表面-バルク電子状態評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○井村将隆¹，長田貴弘¹，荒木努⁴，名西やすし^4,5，小出康夫¹，A.L. Yang²，山下良之²，吉川英樹²，小林啓介²，山口智広³，武田寛之²，津田俊輔²，金子昌充⁴，上松尚⁴ (物材機構¹，SPring-8物材機構²，工学院大³，立命館大⁴，ソウル大⁵)

[28p-PA1-5] InGaNナノワイヤ中の積層欠陥の原子構造と生成メカニズム (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○井村将隆¹，小出康夫¹，中山佳子¹，竹口雅樹¹，水谷駿介²，田畑拓也²，中川慎太²，山口雅史²，天野浩^2,3 (物材機構¹，名大院工²，赤﨑記念研究センター³)

[28p-PA1-6] RF-MBE成長InGaN混晶のB₁(high)モードによる成長温度最適化の検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

坂川祐輝，^○兒玉賢治，廣長大造，橋本明弘 (福大工)

[28p-PA1-7] MOVPE成長In_xGa_1-xN (x~0.3)膜のSiドーピング効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

三原章宏¹，鄭仰東^1,2，重川直輝³，^○山本高^1,2 (福井大工¹，JST-CREST²，大阪市大工³)

[28p-PA1-8] ▲Temperature dependence of photovoltaic properties in InGaN solar cells (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（P）Liwen Sang，廖梅勇，池田直樹，小出康夫，角谷正友 (物質材料研究機構)

[28p-PA1-9] InGaN厚膜を有するpin接合の電気的評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○中野由崇¹，新部正人²，Michael Lozac'h³，Liwen Sang³，角谷正友³ (中部大総工研¹，兵庫県立大高度研²，物材機構³)

[28p-PA1-10] InGaN薄膜の表面ピット近傍の発光空間分布の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○倉井聡¹，若松歩¹，工藤広光²，岡川広明²，山田陽一¹ (山口大院理工¹，三菱化学²)

[28p-PA1-11] LP-MOVPE法で成長したSi添加AlGaN薄膜のカソードルミネッセンスマッピング評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○倉井聡¹，牛島史貴¹，穴井恒二¹，若松歩¹，三宅秀人²，平松和政²，山田陽一¹ (山口大院理工¹，三重大院工²)

[28p-PA1-12] 青色発光InGaN量子井戸構造上のナノパターンを用いた超解像イメージング (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○佐藤綾耶^1,2，小澤祐市^2,3，草間裕太¹，佐藤俊一^2,3，横山弘之^1,2 (東北大未来研（NICHe）¹，JST CREST²，東北大多元研³)

[28p-PA1-13] InGaNナノワイヤにおけるPLスペクトルの温度依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○室谷英彰¹，安藤浩哉¹，塚本武彦¹，杉浦藤虎¹，山田陽一²，田畑拓也³，本田善央³，山口雅史³，天野浩³ (豊田高専¹，山口大院・理工²，名大院・工³)

[28p-PA1-14] ラマン散乱によるMBE成長In_xGa_1-xN混晶フォノンの評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○中西晋一¹，金廷坤¹，小池隆¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨弘¹，兒玉賢治³，橋本明弘³，山本暠勇³ (京工繊大¹，和大²，福井大³)

[28p-PA1-15] RF-MBE法による各種基板上GaN系ナノワイヤ成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○水谷駿介¹，田畑拓也¹，中川慎太¹，山口雅史¹，天野浩^1,2，井村将隆³，中山佳子³，竹口雅樹³ (名大院工¹，赤崎記念研究センター²，物材機構³)

[28p-PA1-16] 電流制御型液相成長を用いたGaNの選択成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○神林大介，高倉宏幸，冨田将史，成塚重弥，丸山隆浩 (名城大理工)

[28p-PA1-17] △(111)Si基板上スパッタAlN細線上GaN成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○光成正¹，名和健吾¹，山田貴也¹，本田善央¹，山口雅史¹，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑研究センター²)

[28p-PA1-18] 加工(110)Si基板を用いたGaNの転位密度低減 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○名和健吾^1,2，光成正^1,2，本田善央^1,2，山口雅史^1,2，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤崎記念研究センター²)

[28p-PA1-19] TiO₂薄膜堆積によるGaN光触媒のバンド端電位シフト (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○佐野双美¹，脇一太郎¹，岡部伸宏¹，藤井克司²，杉山正和² (昭和シェル中研¹，東大先端研²)

[28p-PA1-20] 六方晶窒化ホウ素薄膜のサファイア基板上への高温化学気相成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○李惠映，光野徹也，小南裕子，中西洋一郎，原和彦 (静大電子研)

[28p-PA1-21] 原料及び結晶を考慮したアモノサーマル法によるGaNバルク単結晶育成時の熱流体解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○増田善雄¹，鈴木明¹，横山千昭² (産総研¹，東北大多元研²)

[28p-PA1-22] Naフラックス法における溶液攪拌速度がGaNの成長モルフォロジーに与える影響 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○伊賀仁志，中村亘志，原田陽司，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，轟夕摩，松尾大輔，丸山美帆子，今出完，吉村政志，森勇介 (阪大院工)

[28p-PA1-23] サファイア基板上GaN薄膜のMOVPE成長挙動の格子極性依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（B）吉野川伸雄¹，岩渕拓也¹，正直花奈子¹，木村健司^1,2，谷川智之^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，JST-CREST²)

[28p-PA1-24] MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長プロセス(II) (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○藤田陽平¹，高野泰²，井上翼²，中野貴之² (静大院工¹，静大工²)

[28p-PA1-25] X線異常分散を用いたm面GaNの面内極性判定 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○花田貴^1,2，島田貴章¹，田尻寛男³，坂田修身³，劉玉懐¹，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，ＣＲＥＳＴ²，ＪＡＳＲ³)

[28p-PA1-26] 中性子転換注入GaN中の¹⁴Cによる⁷²Geドナーの補償 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○中村司¹，伊田孝寛¹，尾賀孝宏¹，栗山一男¹，串田一雅²，徐　　虬³，福谷哲³，長谷川雅考⁴ (法政大¹，大阪教育大²，京大原子炉³，産総研⁴)

[28p-PA1-27] 立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○角田雅弘¹，森川生¹，窪谷茂幸¹，片山竜二²，矢口裕之³，尾鍋研太郎¹ (東大新領域¹，東北大金研²，埼玉大理工³)

[28p-PA1-28] 炭化Si基板上へのAlGaN/GaN結晶成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○坂本達哉^1,2，若林成彰^1,2，高橋言緒²，井手利英²，清水三聡²，高梨良文¹ (東理大院基礎工¹，産総研先進パワエレ²)

[28p-PA1-29] 炭素（C）ドープAlGaNのP型化のメカニズム (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○金度亨¹，李熙燮²，山住和也¹，西野克志^1,3，酒井士郎^1,3 (徳島大院　ATS¹，ソウルオプトデバイス²，徳島大院　STS³)

[28p-PA1-30] AlGaNへのSi・Cの同時ドーピングに関する研究 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○若杉侑矢，本田善央，山口雅史，天野浩 (名大院工)

[28p-PA1-31] 昇華法による荒れたSiC基板上へのAlN成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○西野克志¹，日和佐悠一¹，岩元翔太¹，林浩太郎¹，月原政志² (徳島大工¹，ウシオ電機²)

[28p-PA1-32] 表面プラズモンカップリングを利用したGaInN/GaN量子井戸の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（PC）飯田大輔^1,2，Yuntian Chen²，Yiyu Ou²，Ahmed Fadil²，Oleksii Kopylov²，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,3，Haiyan Ou² (名城大・理工¹，デンマーク工科大²，赤崎記念研究センター³)

[28p-PA1-33] UV-LED上サブ波長回折格子の偏光特性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○高島祐介¹，清水亮¹，直井美貴^1,2 (徳島大ATS¹，徳島大STS²)

[28p-PA1-34] p-AlGaN透明コンタクト層を用いた280nm帯深紫外LEDの高効率化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○前田哲利^1,2，藤川紗千恵^1,2，平山秀樹^1,2 (理研¹，JST CREST²)

セッション情報

[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶