一般セッション(ポスター講演)

12．有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.9 有機トランジスタ

[28p-PA8-1~26] 12.9 有機トランジスタ

2013年3月28日(木) 16:00 〜 18:00 PA8 (第一体育館)

ポスター掲示時間16:00〜18:00(PA会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[28p-PA8-1] トランジスタ向け銅フタロシアニンインク材料の開発 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○餌取秀樹，村田秀之，稲垣翔，猪熊立規 (DIC)

[28p-PA8-2] イオン液体を用いた電気二重層トランジスタの閾値電圧評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○藤本卓也¹，松下未知雄¹，阿波賀邦夫² (名大院理¹，名大物国研²)

[28p-PA8-3] ▲Different Back-exposure Condition for Self-alignment Organic Thin-Film Transistor (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○Waqas Alam Mir¹，王照奎¹，中茂樹¹，岡田裕之^1,2 (富山大・院理工¹，富山大・自然科学研究支援センター²)

[28p-PA8-4] 可溶化酸化グラフェン添加による有機電界効果トランジスタの特性改善（4） (4:00 PM ～ 6:00 PM)

坂本舞¹，^○菅沼洸一¹，斉木幸一朗²，後藤拓也³，上野啓司¹ (埼玉大院理工¹，東大院新領域²，三菱ガス化学³)

[28p-PA8-5] 微細加工した(チオフェン/フェニレン)コオリゴマー共振器の電界効果型トランジスタ特性 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○橋本和昌¹，柳久雄¹，佐々木史雄²，山雄健史³，堀田収³ (奈良先端大物質¹，産総研電子光技術²，京工繊大院工芸³)

[28p-PA8-6] アルキル鎖長の異なるpoly(3-alkylthiophene)を用いたトップゲート有機トランジスタのデバイス特性 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○高木謙一郎¹，永瀬隆^1,2，小林隆史^1,2，内藤裕義^1,2 (大阪府大院工¹，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研²)

[28p-PA8-7] P3HT有機電界効果トランジスタの特性へ及ぼす熱処理過程の影響 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○飯野祥平，但木大介，馬騰，張晋逾，木村康男，庭野道夫 (東北大通研)

[28p-PA8-8] ベンゾジチオフェンダイマー薄膜トランジスタにおけるペンタセン結晶性制御層成長条件の検討 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○阪井智哉，松本雄太郎，大須賀秀次，宇野和行，田中一郎 (和歌山大システム工)

[28p-PA8-9] ベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体を用いた塗布型トップゲートFETにおけるアルキル鎖長依存性 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○木村友¹，永瀬隆^1,2，小林隆史^1,2，瀧宮和男³，池田征明⁴ (大阪府立大院¹，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研²，広島大院³，日本化薬⁴)

[28p-PA8-10] 熱プレス法によるフレキシブルC₈-BTBT FETの作製と曲げ特性評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○岡本樹宜¹，山口祥平¹，林潤郎¹，山崎陽太¹，酒井正俊¹，山内博¹，国吉繁一¹，貞光雄一²，濱田雅裕²，工藤一浩¹ (千葉大院工¹，日本化薬²)

[28p-PA8-11] 温度勾配を利用したC₈-BTBT薄膜の相変化の方向制御 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

星野友哉¹，伊藤勇人¹，^○藤枝一郎¹，花崎知則² (立命館大理工¹，立命館大生命²)

[28p-PA8-12] 銀ナノインクのパルス光焼結と有機トランジスタ用電極への適用Ⅱ (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○西原佳彦¹，近松真之¹，阿澄玲子¹，内田博²，篠崎研二² (産総研電子光技術¹，昭和電工²)

[28p-PA8-13] 有機TFTのコンタクト抵抗低減に向けた銀ナノ粒子電極の端部形状の観察 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○（M1）小林悠¹，竹田泰典¹，関根智仁²，福田憲二郎^1,3，熊木大介^1,3，時任静士^1,3 (山形大院理工¹，山形大工²，山形大ROEL³)

[28p-PA8-14] 乾燥環境制御によるインクジェット印刷銀電極の平坦化 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○福田憲二郎^1,2，関根智仁^1,2，熊木大介^1,2，時任静士^1,2 (山形大院理工¹，山形大ROEL²)

[28p-PA8-15] フォトリソグラフィ法で作製した有機TFTにおけるゲート絶縁膜表面粗さの影響 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○奥慎也^1,2，鈴木達也¹，水上誠^1,2，時任静士^1,3 (山形大院理工¹，山形大INOEL²，山形大ROEL³)

[28p-PA8-16] 酸素プラズマ処理による有機薄膜トランジスタの閾値電圧制御 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○（B）木村由斉¹，香月一真¹，田中翼¹，北村雅季^1,2，荒川泰彦^2,3 (神戸大工¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

[28p-PA8-17] 酸化モリブデン/アルミ電極を有するアルキルDNTT薄膜トランジスタ (4:00 PM ～ 6:00 PM)

香月一真¹，木村由斉¹，田中翼¹，^○北村雅季^1,2，荒川泰彦^2,3 (神戸大院工¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

[28p-PA8-18] 電荷変調分光による有機トランジスタのキャリア状態とゲート誘電体効果：DNTT とC8BTBT (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○金井直之¹，堤潤也²，松井弘之²，瀧宮和男³，中野匡規⁴，岩佐義宏^4,5，長谷川達生² (富士電機¹，産総研²，広大³，東大⁴，理研⁵)

[28p-PA8-19] 塗布型多結晶有機薄膜トランジスタのキャリア輸送特性 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○岡田純¹，望月文雄¹，木村友¹，永瀬隆^1,2，小林隆史^1,2，瀧宮和男³，池田征明⁴，内藤裕義^1,2 (大阪府立大¹，大阪府立大エレクトロニックデバイス研²，広島大³，日本化薬⁴)

[28p-PA8-20] 電荷変調分光法(CMS 法)を用いた二層積層型OFET における両極性動作の評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○小俣宏貴，田口大，間中孝彰，岩本光正 (東工大院理工)

[28p-PA8-21] ▲トラップ空間電荷と閾値電圧及び接触抵抗の変化の関係 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○（D）李建権¹，マーティンワイス²，田口大¹，間中孝彰¹，岩本光正¹ (東工大¹，スロバキア工大²)

[28p-PA8-22] アンバイポーラFET 特性を示す新規チエノイソインジゴの合成と太陽電池への応用 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○小田島岳史，芦沢実，鴻巣裕一，布川正史，松本英俊，森健彦 (東工大理工)

[28p-PA8-23] Indigo誘導体を用いたアンバイポーラ有機電界効果トランジスタ (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○Oratai Pitayatanakul，東野寿樹，森健彦 (東工大)

[28p-PA8-24] 低分子塗布層をコレクタ層に用いた縦型メタルベース有機トランジスタ (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○篠田亘¹，梅津公平¹，城戸淳二^1,2，中山健一^1,2 (山形大院理工¹，山形大ROEL²)

[28p-PA8-25] イオン液体を用いた低電圧駆動有機単結晶トランジスタの高速化 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○車溥相¹，宇野真由美^1,2，山岸正和²，植村隆文²，竹谷純一² (大阪府立産技研¹，阪大産研²)

[28p-PA8-26] ナフタレンテトラカルボキシジイミド誘導体を用いた低電圧駆動n型有機トランジスタの作製と回路応用 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○横田知之¹，栗原一徳¹，関谷毅^1,2，Ute Zschieschang³，Hagen Klauk³，Byung Jun Jung⁴，Howard Katz⁴，染谷隆夫^1,2 (東大工¹，JST, ERATO²，マックスプランク研究所³，ジョンズ・ホプキンス大⁴)

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[28p-PA8-1~26] 12.9 有機トランジスタ