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一般セッション(口頭講演)

10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[29a-A7-1~9] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

2013年3月29日(金) 09:30 〜 12:00 A7 (K1号館 3F-306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29a-A7-1] ▲YAlO₃(100)基板上に成長したマルチフェロイックBi(Fe_0.9Co_0.1)O₃エピタキシャル膜の構造と磁気特性 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○一ノ瀬智浩，永沼博，大兼幹彦，安藤康夫 (東北大工)

[29a-A7-2] △様々なバッファ層を持つBi₃Fe₅O₁₂薄膜のガラス基板上への作製 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○池原成拓¹，中川裕輝¹，松栄智章¹，小林司²，吉田和彦²，石橋隆幸²，西敬生¹ (神戸高専¹，長岡技科大²)

[29a-A7-3] △エピタキシャルSm-Ni合金薄膜の形成と構造解析 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○堀田裕介¹，柳川貴人¹，大竹充¹，桐野文良²，二本正昭¹ (中央大理工¹，東京藝大²)

[29a-A7-4] △UHVスパッタリング法によるエピタキシャルSm(Co,Cu)5合金薄膜の形成 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○山田真¹，柳川貴人¹，大竹充¹，桐野文良²，二本正昭¹ (中央大理工¹，東京藝大²)

[29a-A7-4.1] 休憩(15分)

[29a-A7-5] 規則型二重ペロブスカイトSrLaVMoO₆ (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○新野貴士¹，三宝勝利²，宮脇哲也³，植田研二⁴，浅野秀文⁵ (名大院工¹，名大院工²，名大院工³，名大院工⁴，名大院工⁵)

[29a-A7-6] ホイスラー強磁性/反強磁性積層膜における構造と界面磁性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

深谷直人，^○榊原英樹，稲垣圭真，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文 (名大院工)

[29a-A7-7] 超伝導NbN薄膜上に作製した交換結合膜の磁気特性 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

吉原健彦，^○高木涼真，深谷直人，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文 (名大院工)

[29a-A7-8] InP基板上閃亜鉛鉱型MnAsの熱処理効果 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○（DC）大前洸斗，島崎矩行，豊田英之，内富直孝 (長岡技大)

[29a-A7-9] △GaAs(100)単結晶基板上に形成したCo薄膜の構造に及ぼす膜厚と基板温度の影響 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○皆川成行¹，大竹充¹，稲葉信幸²，二本正昭¹ (中央大理工¹，山形大工²)