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一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[29a-D3-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

2013年3月29日(金) 09:00 〜 11:45 D3 (C5号館 3F-324)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29a-D3-1] 水熱合成(K_xNa_1-x)NbO₃膜の作製と結晶構造評価 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○白石貴久¹，金子祈之¹，栄西弘¹，石河睦生^1,2，黒澤実¹，内田寛³，舟窪浩¹ (東工大¹，桐蔭²，上智大³)

[29a-D3-2] スパッタ法(K,Na)NbO3薄膜の自発分極制御による低誘電率膜の実現 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○柴田憲治，末永和史，渡辺和俊，堀切文正，野口将希 (日立電線)

[29a-D3-3] 応力を制御した(Na,Bi)TiO₃－BaTiO₃エピタキシャル薄膜の結晶構造と圧電特性 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○田中良明¹，張替貴聖¹，足立秀明²，藤井映志²，坂元尚紀³，脇谷尚樹³，鈴木久男³ (パナソニック　デバイス社¹，パナソニック　先端研²，静大工³)

[29a-D3-4] MOD法BaTiO₃強誘電体薄膜抵抗ヒステリシスの膜厚依存性の検討 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

王洲，^○河原英彰，山下馨，野田実 (京工繊)

[29a-D3-5] △チタン酸バリウムナノキューブ規則配列集合膜の作製と電気特性 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○三村憲一，加藤一実 (産総研)

[29a-D3-5.1] 休憩(15分)

[29a-D3-6] (1-x)BiFeO₃-xBiCoO₃エピタキシャル薄膜の結晶構造および電気特性の組成依存性 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○大沼航，北條元，東正樹 (東工大)

[29a-D3-7] コンビナトリアル成膜によるBZT-BCT薄膜の組成依存性評価 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○（M1）森亮¹，黒川文弥²，神野伊策¹ (神大院工¹，京大院工²)

[29a-D3-8] PLD法によるBi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃基固溶体膜の作製と評価 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○（D）及川貴弘¹，安井伸太郎¹，真鍋直人¹，渡邉隆之²，薮田久人²，三浦薫²，小林健³，舟窪浩¹ (東工大¹，キヤノン²，産総研³)

[29a-D3-9] PLD法を用いたBi₄Ti₃O₁₂ナノプレート構造の作製とその圧電性 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○山田智明^1,2，柴田貴明¹，吉野正人¹，舟窪浩³，長崎正雅¹ (名大工¹，JSTさきがけ²，東工大総理工³)

[29a-D3-10] 添加物に基づくビスマス層状構造誘電体薄膜の絶縁性向上 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

近藤陽太¹，小川正太²，木村純一²，舟窪浩²，^○内田寛¹ (上智大理工¹，東工大総理工²)