○井手亜貴子1,長野文子1,小嶋稔1,吉野賢二1,3,竹元裕仁2,豊田浩司2,稲葉孝一郎2,羽賀健一2,中俊雄2,徳留功一2 (宮崎大工1,東ソー・ファインケム2,JST-CREST3)
セッション情報
一般セッション(口頭講演)
21.合同セッションK » 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
[29a-G19-1~10] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2013年3月29日(金) 10:00 〜 12:45 G19 (B5号館 4F-2403)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
○下村宏貴1,吉岡秀樹2,山本伸一1 (龍谷大院理工1,兵庫工技セ2)
○赤沢方省 (NTT MI研)
松本拓也,○安部功二 (名古屋工業大)
○田中真樹1,2,吉野賢二2,3 (宇部マテリアルズ1,宮崎大工2,JST-CREST3)
○牧野久雄,宋華平,山本哲也,小畠雅明,小林啓介 (高知工科大総研)
○山本哲也1,宋華平1,牧野久雄1,長田実2,岸本誠一1,3 (高知工科大総研1,物材機構MANA2,高知高専3)
○(M1)景山豪1,吉岡秀樹2,山本伸一1 (龍谷大院理工1,兵庫工技セ2)
○大塚誠1,2,中村崇1,2 (東北大 多元研1,東北大 NICHe2)
○柳博1,佐藤千友紀1,高木暢人1,鈴木一誠2,小俣孝久2,神谷利夫3,細野秀雄3,4 (山梨大工1,大阪大工2,東工大応セラ研3,東工大フロンティア研4)