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シンポジウム » ・シリコン系薄膜形成技術の新展開

[29p-B8-1~10] シリコン系薄膜形成技術の新展開

2013年3月29日(金) 13:30 〜 17:45 B8 (K2号館 4F-1406)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-B8-1] 貼り合わせハイブリッド基板とその応用（30分) (1:30 PM ～ 2:00 PM)

^○久保田芳宏，飛坂優二，秋山昌次，諏訪剛史，永田和寿，小西繁，川合信 (信越化学工業)

[29p-B8-2] シリコンバルク多結晶の融液成長における組織・欠陥制御（30分） (2:00 PM ～ 2:30 PM)

^○宇佐美徳隆 (東北大金研)

[29p-B8-3] 溶液プロセスによるSi薄膜の作製と電子デバイス応用（30分） (2:30 PM ～ 3:00 PM)

^○下田達也^1,2,3，増田貴史^1.2，松木安生^2,4 (北陸先端大¹，科学技術振興機構²，科学技術振興機構³，JSR⁴)

[29p-B8-4] Si_1-xGe_x/絶縁膜(x:0～1)の金属触媒成長（30分） (3:00 PM ～ 3:30 PM)

^○佐道泰造¹，朴鍾爀^1,2，黒澤昌志^1,2，都甲薫^1,3，宮尾正信¹ (九大システム情報¹，学振²，筑波大数物³)

[29p-B8-4.1] 休憩(15分)

[29p-B8-5] ガラス上シリコン薄膜の高品質化とデバイス応用（30分） (3:45 PM ～ 4:15 PM)

^○原明人¹，北原邦紀² (東北学院大工¹，島根大総合理工²)

[29p-B8-6] 低温高速スパッタエピタキシーによるSi系材料の厚膜化と太陽電池応用（30分） (4:15 PM ～ 4:45 PM)

^○葉文昌 (島根大)

[29p-B8-7] 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の超高速結晶成長 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○林将平^1,2，藤田悠二¹，森崎誠司¹，上倉敬弘¹，赤澤宗樹¹，酒池耕平¹，東清一郎¹ (広大院先端研¹，学振特別研究員ＤＣ²)

[29p-B8-8] △ブルーレーザアニールによるSi膜中のスパッタリングガスの挙動 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○西ノ原拓磨，知念怜，岡田竜弥，野口隆 (琉球大工)

[29p-B8-9] 水中レーザーアニール法による多結晶Ge_1-xSn_x薄膜の低温形成 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○黒澤昌志^1,2，田岡紀之¹，中塚理¹，池上浩³，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²，九大院シス情³)

[29p-B8-10] 軟X線照射によるB活性化の照射光子エネルギー依存性 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○部家彰¹，福岡琢人¹，松尾直人¹，神田一浩²，野口隆³ (兵庫県立大工¹，兵庫県立大高度研²，琉球大³)