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一般セッション(口頭講演)
06.薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
[29p-F2-1~19] 6.3 酸化物エレクトロニクス
2013年3月29日(金) 14:00 〜 19:00 F2 (E3号館 3F-303)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
○岡崎壮平1,2,廣瀬靖1,2,3,中尾祥一郎1,2,楊長1,2,3,鈴木温1,2,3,岡大地1,2,3,長谷川哲也1,2,3 (KAST1,JST-CREST2,東大院理3)
○諸橋信一,碓井圭太,高木史博,原田直幸,村田卓也 (山口大工)
○諸橋信一,葛尾寛之,岡田智之,岸本堅剛,原田直幸 (山口大工)
○柳田剛,Zhuge Fuwei,長島一樹,金井真樹,川合知二 (阪大産研)
○長島一樹1,柳田剛1,金井真樹1,Baeho Park2,川合知二1,2 (阪大産研1,建国大2)
○大澤健男1,清水亮太1,岩谷克也1,白木將1,一杉太郎1,2 (東北大WPI-AIMR1,JSTさきがけ2)
○(D)佐藤弘樹1,2,Christopher Bell1,疋田育之1,Harold Hwang1,3 (SLAC1,東大新領域2,スタンフォード大3)
○矢嶋赳彬1,2,簑原誠人2,疋田育之2,クリストファー ベル2,組頭広志3,尾嶋正治1,ハロルド ファン2,4 (東大院工1,SLAC国立加速器研究所2,KEK-PF3,スタンフォード大4)
○大澤健男,熊谷明哉,清水亮太,高木由貴,鈴木竜,白木將,一杉太郎 (東北大WPI-AIMR)
○村上永晃1,菅大介1,市川能也1,島川祐一1,2 (京大化研1,JST-CREST2)
○市川能也1,島川祐一1,2 (京大化研1,JST-CREST2)
○(M1)中村透1,山田泰裕1,安井伸太郎2,舟窪浩2,金光義彦1 (京大化研1,東工大院2)
○市村昂士,堀竜也,藤原宏平,田中秀和 (阪大産研)
○(M1)渡部雄太1,土屋善人1,及川貴大1,岩田展幸1,橋本拓也2,山本寛1 (日大理工1,日大文理2)
○高橋竜太,ミック リップマー (東大物性研)
○山崎翔太1,神吉輝夫1,Luca Pellegrino2,Nicola Manca2,3,Antonio Siri2,3,Daniele Marre2,3,田中秀和1 (阪大産研1,CNR-SPIN2,Genova Univ.3)
○(DC)高見英史,神吉輝夫,田中秀和 (阪大産研)
○沖村邦雄1,渡部智1,坂井穣2 (東海大工1,トウール大2)
○シュルズ モハメッド,沖村邦雄 (東海大院工)