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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.6 Siデバイス／集積化技術

[29p-G9-1~7] 13.6 Siデバイス／集積化技術

2013年3月29日(金) 14:00 〜 15:45 G9 (B5号館 2F-2203)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-G9-0] 昼食(75分)

[29p-G9-1] シリコンMOSFETにおける巨大谷分離を用いたフォノンレス発光の増強 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○登坂仁一郎，西口克彦，藤原聡 (NTT物性研)

[29p-G9-2] 室温動作シリコン単電子トランジスタとCMOSアナログセレクタ回路の集積化 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○鈴木龍太，野末喬城，更屋拓哉，平本俊郎 (東大生研)

[29p-G9-3] Si単電子トランジスタにおけるexcited stateのゲート電圧による変化 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○吉岡勇¹，竹中浩人¹，内田貴史¹，有田正志¹，藤原聡²，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，NTT基礎物性研²)

[29p-G9-4] シリコン単電子転送素子の極低温における精度評価 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○山端元音，西口克彦，藤原聡 (NTT物性基礎研)

[29p-G9-5] 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○内田貴史¹，竹中浩人¹，吉岡勇¹，有田正志¹，藤原聡²，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，NTT物性基礎研²)

[29p-G9-6] △チャージセンサによるシリコン2重結合量子ドットの少数電子状態観測 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○堀部浩介¹，小寺哲夫^1,2,3，蒲原知宏¹，河野行雄⁴，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³，東工大院理工⁴)

[29p-G9-7] 三角形状に配置したシリコン三重量子ドットの電子輸送特性 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○溝口来成¹，小寺哲夫^1,2,3，堀部浩介¹，河野行雄¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³)